SN65HVD256DR
Number modelo:SN65HVD256DR
Lugar del origen:N/S
Cantidad de orden mínima:1pcs
Condiciones de pago:T/T
Capacidad de la fuente:9999999+PCS
Plazo de expedición:2-7 días del trabajo
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Miembro activo
Shenzhen China
Dirección:
7F, Building F, Longjing Science park, 335 Bulong Road, Ma Antang Community, Bantian Street, Longgang District, Shenzhen, China
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Dentro de 48 Horas
Detalles del producto
Perfil de la compañía
Detalles del producto
IC electrónico Chip Texas Instruments /TI SN65HVD256DR
| Módulo de ECAD | Símbolo, huella y modelo 3D del PWB |
| País de origen | México |
| Halógeno libre | Obediente |
| EOL Date estimado | 2031 |
| Piezas alternativas (Referencia recíproca) | AMIS30663CANG2G; AMIS30663CANG2RG; AMIS42673ICAG1RG; AMIS42673ICAG1G; |
| ECCN | EAR99 |
| Fecha de introducción | 1 de agosto de 2011 |
| Apellido | SN65HVD256 |
| Campo del uso | Utilizado en automotriz, comunicaciones y establecimiento de una red |
| Situación de la oferta y de la demanda | Balanza |
| Amenaza falsa en el mercado libre | los 70 PCT. |
| Renombre | Alto |
| ¿Está esto una parte común-usada? | Sí |
| Caso/paquete | 8-SOIC |
| Montaje | SMD (SMT) |
| Gama de temperaturas - actuando | -40°C a 125°C |
| Voltaje de fuente - actuando | 4,5 V a 5,5 V |
| Tarifa de datos | 1Mbps |
| Histéresis del receptor | 200mV |
| Duplex | Mitad |
| Número de conductores/de receptores | 1/1 |
| Protocolo | PODER |
| Tipo | Transmisor-receptor |
| Situación | Activo |
| Empaquetado | Carrete - TR |
| Fabricante | Texas Instruments |
| Categorías | Circuitos integrados |
Características para el SN65HVD256
- Cumple los requisitos de ISO11898-2
- Turbo PUEDE:
- Retraso de propagación corto y simétrico
Épocas y tiempos rápidos del lazo para aumentado
Margen que mide el tiempo - Tarifas de datos más altas en redes de la PODER
- Retraso de propagación corto y simétrico
- Ayudas 3.3-V y 5-V MCUs de la gama del voltaje de la entrada-salida
- Comportamiento pasivo ideal cuándo Unpowered
- Los pernos del autobús y de la lógica son alta impedancia (no
Carga) - Accione para arriba y accione abajo con Interferencia-libre
Operación en el autobús
- Los pernos del autobús y de la lógica son alta impedancia (no
- Características de protección
- La protección de HBM ESD excede ±12 kilovoltio
- Protección de la falta del autobús – 27 V a 40 V
- Protección del Undervoltage en los pernos de la fuente
- Conductor Dominant Time Out (TXD DTO)
- SN65HVD257: Time Out Receptor-dominante
(RXD DTO) - SN65HVD257: La FALTA hizo salir el Pin
- Protección termal del cierre
- Caracterizado para – 40°C a la operación 125°C
Descripción para el SN65HVD256
Este transmisor-receptor de la PODER cumple el estándar de alta velocidad de la capa física de la PODER ISO1189-2 (regulador Area Network). Se diseña para las tarifas de datos superior a 1 Mbps para la PODER en redes cortas, y las tarifas aumentadas del margen de la sincronización y más altas de datos en redes largas y alto-cargadas. El dispositivo proporciona muchas características de protección para aumentar robustez del dispositivo y de la Poder-red. El dispositivo SN65HVD257 añade características adicionales, teniendo en cuenta el diseño fácil de redes redundantes y del multitopology con la indicación de la falta para niveles más altos de seguridad funcional en el sistema de la PODER.
SN65HVD256DR
Carro de la investigación
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