Soporte superficial del módulo de poder del TI de IGBT SN74LVC1G126DSFR 74LVC

Number modelo:SN74LVC1G126DSFR
Lugar del origen:N/S
Cantidad de orden mínima:1pcs
Condiciones de pago:T/T
Capacidad de la fuente:9999999+PCS
Plazo de expedición:2-7 días del trabajo
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Shenzhen China
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Detalles del producto

SN74LVC1G126DSFR de Texas Instruments /TI del módulo de poderde IGBT

Módulo de ECADSímbolo, huella y modelo 3D del PWB
Situación de la oferta y de la demandaBalanza
RenombreAlto
Amenaza falsa en el mercado librelos 33 PCT.
Cantidad por el paquete5000
HTSUS8542.39.0001
ECCNEAR99
Situación del ALCANCEALCANCE inafectado
Nivel de MSL1 (ilimitado)
Apellido74LVC1G126
Caso/paquete6-SON (1x1)
Paquete6-XFDFN
MontajeSoporte superficial
PaqueteCarrete - TR
Serie74LVC
FabricanteTexas Instruments
El otro número de parte296-36724-2, -296-36724-1-ND, 296-36724-1, -296-36724-1, 296-36724-6, SN74LVC1G126DSFR-ND
Plazo de ejecución estimado de Pruduction34 semanas
CategoríasCircuitos integrados (ICs)
CaracterísticasAlmacenador intermediario, No-invirtiendo 1 elemento 1 mordido por la salida 6-SON (1x1) del elemento 3-State
Gama de temperaturas de funcionamiento-40°C ~ 125°C (TA)

Características para el SN74LVC1G126

  • Disponible en Texas Instruments
    Paquete de NanoFree™
  • Ayudas 5-V VOperación del cc
  • Las entradas aceptan voltajes a 5,5 V
  • Proporciona abajo de la traducción a VCc
  • T máximopaladio de 3,7 ns en 3,3 V
  • Bajo consumo de energía, 10-µA máximo yoCc
  • ±24-mA hizo salir la impulsión en 3,3 V
  • Yode apoya a Live Insertion, Parcial-poder
    Abajo de modo, y detrás de la protección de la impulsión
  • El funcionamiento del cierre-Para arriba excede 100 mA
    Por JESD 78, clase II
  • La protección del ESD excede JESD 22
    • modelo del Humano-cuerpo 2000-V
    • modelo de máquina 200-V
    • modelo del Cargar-dispositivo 1000-V

Descripción para el SN74LVC1G126

Este solo almacenador intermediario se diseña para 1.65-V a 3.6-V VOperación del cc. El dispositivo LVC1G126 es una sola línea conductor con salida de 3 estados. La salida es discapacitada cuando salida-permita la entrada es bajo.

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Soporte superficial del módulo de poder del TI de IGBT SN74LVC1G126DSFR 74LVC

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