TI automotriz TPS23755RJJT 55 de SMD Chip Capacitor 120 al ℃ EAR99 ECCN

Number modelo:TPS23755RJJT
Lugar del origen:N/S
Cantidad de orden mínima:1pcs
Condiciones de pago:T/T
Capacidad de la fuente:9999999+PCS
Plazo de expedición:2-7 días del trabajo
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Shenzhen China
Dirección: 7F, Building F, Longjing Science park, 335 Bulong Road, Ma Antang Community, Bantian Street, Longgang District, Shenzhen, China
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Detalles del producto

SMD Chip Capacitor Texas Instruments /TI TPS23755RJJT

Módulo de ECADSímbolo, huella y modelo 3D del PWB
Situación de la oferta y de la demandaBalanza
RenombreAlto
Amenaza falsa en el mercado librelos 82 PCT.
Cantidad por el paquete250
HTSUS8542.39.0001
ECCNEAR99
Situación del ALCANCEALCANCE inafectado
Nivel de MSL2 (1 año)
Caso/paquete24-VSON (6x4)
Paquete24-VFDFN expuso el cojín, 23 ventajas
MontajeSoporte superficial
Gama de temperaturas de funcionamiento-40°C ~ 125°C (TJ)
PaqueteCarrete - TR
FabricanteTexas Instruments
CaracterísticasPoder sobre el regulador Channel 802.3at (PoE) 24-VSON (6x4) de Ethernet
Plazo de ejecución estimado de Pruduction25 semanas
CategoríasCircuitos integrados (ICs)
ApellidoTPS23755
El otro número de parte296-TPS23755RJJTCT, 296-TPS23755RJJTDKR, 296-TPS23755RJJTTR

Características para el TPS23755

  • Solución completa del paladio de IEEE 802.3at para el tipo 1 PoE
    • El logotipo de Alliance de Ethernet (EA) certificó los diseños disponibles
    • 100-V robusto, MOSFET del hotswap 0.36-Ω (tipo)
    • Nivel programable de la clasificación
  • Regulador integrado de PWM con 150-V el MOSFET del poder 0.77-Ω (tipo)
    • Regulador del tiempo de retorno con el PSR
      • Operación de CCM de las ayudas con el rectificador de diodo lateral secundario
      • regulación de la carga del ±3% (el tipo, 12-V hizo salir) (gama 5%-100%)
    • Topología del dólar del interruptor del bajo-lado de las ayudas
    • Frecuencia que cambia ajustable con la sincronización
    • inicio avanzado
    • Tarifa y frecuencia de ciénaga programable que se estremecen para la reducción aumentada de la EMI
  • Control lateral secundario de la prioridad del adaptador con la transición suave
  • – 40°C a la gama de temperaturas de empalme 125°C
  • Pequeños 6 milímetros x 4 paquete del milímetro VSON

Descripción para el TPS23755

El dispositivo TPS23755 combina un poder sobre interfaz del dispositivo accionado de Ethernet (PoE) (paladio), un FET del poder que cambia 150-V, y un regulador del actual-modo DC-DC optimizó para la topología del tiempo de retorno. El nivel de la integración junto con la regulación lateral primaria (PSR), la frecuencia del espectro de extensión que se estremece (SSFD), y el inicio avanzado hace el TPS23755 una solución ideal para los usos tamaño-obligados. La puesta en práctica del PoE apoya el estándar de IEEE 802.3at como 13-W, paladio del tipo 1.

La característica del PSR del regulador de DC-DC utiliza la reacción de una bobina auxiliar para el control del voltaje de salida, eliminando la necesidad del regulador y del acoplador óptico externos de la desviación. Se optimiza para la operación con el rectificador de diodo lateral secundario (típicamente la salida 12-V o más alto). Típicamente, el convertidor actúa en el modo continuo de la conducción (CCM) en una frecuencia que cambia de 250 kilociclos.

SFFD y el control de tarifa de ciénaga ayuda a minimizar el tamaño y el coste del filtro emi. El inicio avanzado permite el uso del condensador diagonal mínimo mientras que simplifica diseño del inicio y del hipo del convertidor.

La potencia auxiliar secundaria detecta capacidad proporciona la prioridad para un adaptador lateral secundario, mientras que asegura la transición suave a y desde energía de entrada del PoE, sin eficacia o equilibrio termal.

El regulador de DC-DC ofrece suave-principio, la remuneración de la cuesta, y esconder internos. Para los usos sin aislar, la topología del dólar también es apoyada por el TPS23755.

China TI automotriz TPS23755RJJT 55 de SMD Chip Capacitor 120 al ℃ EAR99 ECCN supplier

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