amplificador IC Chips Infineon Technologies IRF5210PBF de la disipación de poder 200W
Number modelo:IRF5210PBF
Lugar del origen:N/S
Cantidad de orden mínima:1pcs
Condiciones de pago:T/T
Capacidad de la fuente:9999999+PCS
Plazo de expedición:2-7 días del trabajo
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Shenzhen China
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7F, Building F, Longjing Science park, 335 Bulong Road, Ma Antang Community, Bantian Street, Longgang District, Shenzhen, China
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Detalles del producto
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Detalles del producto
Amplificador IC Chips Infineon Technologies IRF5210PBF
| Módulo de ECAD | Símbolo, huella y modelo 3D del PWB |
| País de origen | China, Filipinas |
| Halógeno libre | Obediente |
| EOL Date estimado | 2024 |
| ¿Está esto una parte común-usada? | Sí |
| Renombre | Alto |
| Amenaza falsa en el mercado libre | los 42 PCT. |
| Situación de la oferta y de la demanda | Suficiente |
| Piezas alternativas (Referencia recíproca) | IXTT50P10; |
| ECCN | EAR99 |
| Fecha de introducción | 30-Jan-04 |
| Apellido | IRF5210 |
| Caso/paquete | TO-220AB |
| Montaje | A través del agujero |
| Gama de temperaturas - actuando | -55°C a 175°C (TJ) |
| Disipación de poder (máxima) | 200W (Tc) |
| Voltaje máximo de la Puerta-fuente | ±20V |
| Rds máximo encendido en la identificación, Vgs | 60 mOhm @ 24A, 10V |
| Dimensión | TO-220-3 |
| Voltaje del umbral de la Puerta-fuente | 4V @ 250μA |
| Voltaje de la impulsión (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Corriente continua del dren en 25°C | 40A (Tc) |
| Tecnología | MOSFET |
| Polaridad | P-canal |
| Situación | Activo |
| Empaquetado | Tubo/carril |
| Fabricante | Infineon Technologies |
| Categorías | Productos de semiconductor discretos |
| Max Input Capacitance | 2700pF @ 25V |
| Max Gate Charge | 180nC @ 10V |
| Voltaje de avería de la Dren-fuente | 100V |
amplificador IC Chips Infineon Technologies IRF5210PBF de la disipación de poder 200W
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