luz roja del silicón de 3V 2835 Chip Bright Led Package For

Number modelo:2835

Lugar del origen:Suzhou

Cantidad de orden mínima:4000pcs

Condiciones de pago:Western Union, MoneyGram, T/T

Capacidad de la fuente:800KK POR MES

Plazo de expedición:7-10 DÍAS

Contacta

Add to Cart

Phoenix (suzhou) electronic Co.,ltd

Miembro del sitio

Suzhou Jiangsu China

Dirección: Bld#20, NINGÚN camino de 88 Lingshan, distrito de wuzhong, Suzhou, Jiangsu, China

Proveedor Último login veces: Dentro de 26 Horas

Ver detalles de contacto

Detalles del producto Perfil de la compañía

Detalles del producto

luz roja del silicón de 3V 2835 Chip Bright Led Package For

Introducción del uso:

La tira ligera de neón del LED y la manga del silicón son ampliamente utilizadas en la industria ligera flexible de la tira del LED. Son sacadas por un proceso único. Emiten la luz suave sin los puntos ligeros, desempeñan un papel impermeable y protector, y son no tóxicas e insípidas; El ningún amarillear, fragilidad y agrietarse después de uso a largo plazo; Y tiene resistencia de ozono y otras características

paquete llevado brillante del microprocesador rojo 3V 2835 para la tira llevada

Detalles rápidos:

Voltaje entrado (V):	3V
Garantía (año):	de dos años
Tipo:	Smd llevó el microprocesador 2835
Iluminación de servicio de las soluciones:	Iluminación y diseño del conjunto de circuitos
Eficacia luminosa (lm/w):	60-65lm
Vida útil (horas):	50000
Hora laborable (horas):	20000
Chip Material:	INGAN
Emisión de color:	Rojo
Poder:	0.5W
Ángulo de visión (°):	120 grados
Índice de representación de color (Ra):	80
Temperatura de color:	620-625NM
Lugar del origen:	Suzhou, Jiangsu
Uso:	Aparatos electrodomésticos y semáforos
Tipo del paquete:	Paquete del soporte de Suface
Corriente delantera:	150MA
Tamaño:	2.83.50.65m m
Embalaje:	4000 PC/rollo

Especificación de producto:

Estructura del paquete:

Grados máximos absolutos:

Artículo	Símbolo	Grados máximos absolutos	Unidad
Corriente delantera	SI	150	mA
Voltaje reverso	Vr	5	V
Corriente delantera pulsada	IFP*	180	mA
Disipación de poder	Paladio	0,5	W
Temperatura de funcionamiento	TOP	-40~85	℃
Temperatura de almacenamiento	Prueba	-40~85	℃
Descarga electrostática	ESD	2000 (HBM)	V
Temperatura de empalme	Tj	120	℃
Resistencia termal del LED	S-j de Rth	33	℃/W

Curvas de características electrópticas típicas:

Lista de pruebas de la confiabilidad del LED:

Artículo de la prueba	Condiciones de prueba	Estándar	Qty (PC)	Ac/Re
Prueba de vida	25℃, 1000Hrs@150mA	/	20	0/1
Temperatura alta	85℃, 1000Hrs@150mA	/	20	0/1
Baja temperatura	-40℃, 1000Hrs@150mA	/	20	0/1
Calor de la humedad alta	85℃, 85%RH, 1000Hrs@150mA	/	20	0/1
Almacenamiento de la baja temperatura	-40℃, 1000Hours	JEITA ED-4701 200 202	20	0/1
Almacenamiento de alta temperatura	100℃, 1000Hours	JEITA ED-4701 200 201	20	0/1
Ciclo de la temperatura	(- 40' C 30mins --25' C (5mins)--100 ' C (30mins), tarifa cambiante de los temporeros: 3+/-0.6' C/min)	JEITA ED-4701 100 105	20	0/1
Choque termal	-40 ' C (15mins) --100 ' C (15mins), tiempo cambiante <5mins>	MIL-STD-202G	20	0/1
Prueba de vida del pulso	Tp=1ms, DC=0.1, D=Tp/T @ 3×150mA	/	20	0/1
Prueba del ESD (HBM)	prueba 3times de 2000V, de 200V/Step, delantera y reversa	AEC (Q101-001)	20	0/1
Resistencia que suelda	260±5℃, 10S, 3times Tratamiento previo 30℃, 70%RH	JEITA ED-4701 300 302	20	0/1
Decaimiento del flujo IV	260±5℃, 10S, 1time Tratamiento previo 30℃, 70%RH, 168Hours	/	20	0/1
Criterios del juicio
Voltaje delantero VF		Máximo-aumento de VF < 1="">
IR actual reverso		Máximo-aumento del IR < IRmax="">
Intensidad luminosa IV		IV decaimiento < 40="">
El ※ suelda criterios de prueba de capacidad: la cobertura no es menos del 95% Nota: La medida será tomada después de que las muestras probadas se hayan vuelto a las condiciones ambiente normales (generalmente después de dos horas)