BSZ100N03MSGATMA1 MOSFET IC Chip TSDSON-8 1 Transistor de canal N 30V
Número de modelo:BSZ100N03MSGATMA1
Lugar de origen:original
Cantidad mínima de pedido:10 piezas
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Capacidad de suministro:10000 piezas/meses
El tiempo de entrega:1-3 días de la semana
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5C,Building D,GALAXY WORLD.Longhua District, Shenzhen.CN
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BSZ100N03MSGATMA1 MOSFET BSZ100N03MS GSP000311510 MSP430F5514IRGCT LPC812M101JD20 Semiconductores discretos
MOSFET
MOSFET de potencia OptiMOS TM3 serie M, 30 V
Características
● Optimizado para aplicaciones de controlador de 5V (Notebook, VGA, POL)
●FOMQsw bajo para SMPS de alta frecuencia
100 % probado contra avalanchas
●canal N
● Resistencia de encendido muy baja Ros (encendido) @ Vcs = 4.5 V
●Excelente carga de puerta x producto Ros(on) (FOM)
●Calificado según JEDEC" para aplicaciones de destino
●Resistencia térmica superior
●Recubrimiento libre de Pb;RoHS
●Libre de halógenos según IEC61249-2-21
| Categoria de producto: | MOSFET |
| SMD/SMT | |
| TSDSON-8 | |
| Canal N | |
| 1 canal | |
| 30 voltios | |
| 40A | |
| 7,3 mOhmios | |
| - 20 V, + 20 V | |
| 1 V | |
| 23 nC | |
| - 55C | |
| + 150C | |
| 30W | |
| Mejora | |
| Carrete | |
| Cortar cinta | |
| Configuración: | Único |
| Otoño: | 2,4 ns |
| Transconductancia directa - Min: | 26 S |
| Altura: | 1,1 mm |
| Longitud: | 3,3mm |
| Tipo de producto: | MOSFET |
| Hora de levantarse: | 2,8 ns |
| Serie: | OptiMOS 3M |
| 5000 | |
| Subcategoría: | MOSFET |
| Tipo de transistor: | 1 canal N |
| Tiempo de retardo de apagado típico: | 16 ns |
| Tiempo típico de retardo de encendido: | 3,8 ns |
| Ancho: | 3,3mm |
| Alias de parte #: | BSZ100N03MS G SP000311510 |
| Unidad de peso: | 0.001367 onzas |
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