Almacenamiento de datos magnetoresistente de la memoria de la memoria de acceso aleatorio MRAM de MR0A08BCYS35 MRAM

Almacenamiento de datos magnetoresistente de la memoria de la memoria de acceso aleatorio MR0A08BCYS35 (MRAM) EHHD024A0A41Z DE118-RS-20/6.35

VENTAJAS DE LAS CARACTERÍSTICAS

• Una memoria substituye el FLASH, SRAM, EEPROM y MRAM en el sistema para un diseño más simple, más eficiente

• Mejora confiabilidad substituyendo SRAM batería-apoyado

• Fuente de alimentación de 3,3 voltios

• Rápidamente ciclo de lectura/grabación de 35 ns

• Sincronización compatible de SRAM

• Falta de volatilidad nativa

• Lectura ilimitada y escribir resistencia

• Datos siempre permanentes durante >20 años en la temperatura

• Temperaturas comerciales e industriales

• Todos los productos resuelven el nivel de la sensibilidad de humedad MSL-3

• Paquetes RoHS-obedientes de TSOP2 y de BGA

VENTAJAS

• Una memoria substituye el FLASH, SRAM, EEPROM y MRAM en el sistema para un diseño más simple, más eficiente

• Mejora confiabilidad substituyendo SRAM batería-apoyado

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