Almacenamiento de datos magnetoresistente de la memoria de la memoria de acceso aleatorio MRAM de MR0A08BCYS35 MRAM
Number modelo:MR0A08BCYS35
Lugar del origen:Original
Cantidad de orden mínima:10pcs
Condiciones de pago:L/C, T/T, Western Union, Paypal
Capacidad de la fuente:10000pcs/months
Plazo de expedición:días 1-3week
Contacta
Add to Cart
Miembro activo
Shenzhen China
Dirección:
5C,Building D,GALAXY WORLD.Longhua District, Shenzhen.CN
Proveedor Último login veces:
Dentro de 48 Horas
Detalles del producto
Perfil de la compañía
Detalles del producto
Almacenamiento de datos magnetoresistente de la memoria de la memoria de acceso aleatorio MR0A08BCYS35 (MRAM) EHHD024A0A41Z DE118-RS-20/6.35
VENTAJAS DE LAS CARACTERÍSTICAS
• Una memoria substituye el FLASH, SRAM, EEPROM y MRAM en el sistema para un diseño más simple, más eficiente
• Mejora confiabilidad substituyendo SRAM batería-apoyado
• Fuente de alimentación de 3,3 voltios
• Rápidamente ciclo de lectura/grabación de 35 ns
• Sincronización compatible de SRAM
• Falta de volatilidad nativa
• Lectura ilimitada y escribir resistencia
• Datos siempre permanentes durante >20 años en la temperatura
• Temperaturas comerciales e industriales
• Todos los productos resuelven el nivel de la sensibilidad de humedad MSL-3
• Paquetes RoHS-obedientes de TSOP2 y de BGA
VENTAJAS
• Una memoria substituye el FLASH, SRAM, EEPROM y MRAM en el sistema para un diseño más simple, más eficiente
• Mejora confiabilidad substituyendo SRAM batería-apoyado
| Categoría de producto: | MRAM |
| TSOP-44 | |
| Paralelo | |
| 1 Mbit | |
| 128 k x 8 | |
| pedazo 8 | |
| 35 ns | |
| 3 V | |
| 3,6 V | |
| 55 mA | |
| - 40 C | |
| + 85 C | |
| MR0A08B | |
| Bandeja | |
| Humedad sensible: | Sí |
| Montaje de estilo: | SMD/SMT |
| Tipo de producto: | MRAM |
| 135 | |
| Subcategoría: | Almacenamiento de la memoria y de datos |
| Peso de unidad: | 0,178707 onzas |
Almacenamiento de datos magnetoresistente de la memoria de la memoria de acceso aleatorio MRAM de MR0A08BCYS35 MRAM
Carro de la investigación
0