

Add to Cart
IPG20N06S2L-35 semiconductor del canal N TCAN1042HGVDRQ1 TJA1027T/20 del MOSFET IPG2N6S2L35XT SP000613718 IPG20N06S2L35ATMA1 2
Negación legal
La información dada en este documento nunca será mirada como garantía de condiciones o de características. En cuanto a cualesquiera ejemplos o indirecta dados adjunto, cualesquiera valores típicos indicaron adjunto y/o cualquier información con respecto al uso del dispositivo, Infineon Technologies niega por la presente cualquiera y todas las garantías y responsabilidades de cualquier clase, incluyendo sin la limitación, las garantías de la no-infracción de los derechos de propiedad intelectual de cualquier tercero.
Información
Para más información sobre tecnología, las condiciones y los precios de la entrega, entran en contacto con por favor la oficina más cercana de Infineon Technologies (www.infineon.com).
Advertencias
Debido a los requisitos técnicos, componentes puede contener sustancias peligrosas. Para la información sobre los tipos en la pregunta, entre en contacto con por favor la oficina más cercana de Infineon Technologies. Los componentes de Infineon Technologies se pueden utilizar en dispositivos o sistemas del conectado a una máquina que mantiene las constantes vitales solamente con la aprobación escrita expresa de Infineon Technologies, si un fracaso de tales componentes se puede razonablemente esperar para causar el fracaso de ese dispositivo o sistema del conectado a una máquina que mantiene las constantes vitales o para afectar a la seguridad o a la eficacia de ese dispositivo o sistema. Los dispositivos o los sistemas del conectado a una máquina que mantiene las constantes vitales se piensan para ser implantados en el cuerpo humano o para apoyar y/o para mantener y para sostener y/o para proteger vida humana. Si fallan, es razonable asumir que la salud del usuario o de otras personas puede ser puesta en peligro
MOSFET | |
Si | |
SMD/SMT | |
TDSON-8 | |
Canal N | |
Canal 2 | |
55 V | |
20 A | |
35 mOhms | |
- 20 V, + 20 V | |
1,6 V | |
23 nC | |
- 55 C | |
+ 175 C | |
65 W | |
Aumento | |
AEC-Q101 | |
Carrete | |
Corte la cinta | |
Configuración: | Dual |
Altura: | 1,27 milímetros |
Longitud: | 5,9 milímetros |
Tipo de producto: | MOSFET |
5000 | |
Subcategoría: | MOSFETs |
Tipo del transistor: | Canal N 2 |
Anchura: | 5,15 milímetros |
Parte # alias: | IPG2N6S2L35XT SP000613718 IPG20N06S2L35ATMA1 |
Peso de unidad: | 0,003440 onzas |