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Memoria de semiconductor S29GL01GS10TFI010 IC NI paralelo del FLASH 1G 3V 100NS NI circuitos integrados de destello
Especificaciones:
Tamaño de la memoria: | 1 Gbit |
Voltaje de fuente - minuto: | 2,7 V |
Voltaje de fuente - máximo: | 3,6 V |
Tipo de interfaz: | Paralelo |
Organización: | 64 M x 16 |
Anchura del ómnibus de datos: | pedazo 16 |
Tipo que mide el tiempo: | Asincrónico |
Temperatura de funcionamiento mínima: | - 40 C |
Temperatura de funcionamiento máximo: | + 85 C |
Empaquetado: | Bandeja |
Arquitectura: | Eclipse |
Tipo de la memoria: | NI |
Humedad sensible: | Sí |
Velocidad: | 100 ns |
Cantidad del paquete de la fábrica: | 910 |
Subcategoría: | Almacenamiento de la memoria y de datos |
Corriente de la fuente - máxima: | 60 mA |
Características distintivas
Cmos base de 3,0 voltios con la entrada-salida versátil
tecnología del eclipse del nanómetro MirrorBit del 65
sola fuente del (VCC) para la lectura/el programa/el borrado (2,7 V a 3,6 V)
característica versátil de la entrada-salida del – gama ancha del voltaje de la entrada-salida (VIO): 1,65 V a VCC
ómnibus de datos del ×16
la página asincrónica de 32 bytes del leyó
almacenador intermediario programado de 512 bytes – programando en múltiplos de la página, hasta un máximo de 512 bytes
sola palabra del y programa múltiple sobre las mismas opciones de la palabra
comprobación de errores y corrección automáticas (ECC) – ECC interno del del hardware con la corrección de error de un solo bit
borrado del sector del – uniforme 128 sectores del kilobyte
el suspende y reanuda los comandos para las operaciones del programa y del borrado.