MOSFET discreto de los transistores de los semiconductores de BSZ15DC02KDH original y nuevo
Number modelo:BSZ15DC02KDH
Lugar del origen:original
Cantidad de orden mínima:10
Condiciones de pago:L/C, T/T, Western Union, Paypal
Capacidad de la fuente:10000pcs/months
Plazo de expedición:1-3workdays
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Miembro activo
Shenzhen China
Dirección:
5C, D constructiva, distrito de la GALAXIA WORLD.Longhua, Shenzhen.CN
Proveedor Último login veces:
Dentro de 48 Horas
Detalles del producto
Perfil de la compañía
Detalles del producto
| Cualidad de producto | Valor del atributo |
|---|---|
| MOSFET | |
| SMD/SMT | |
| TSDSON-8 | |
| Canal N, P-canal | |
| Canal 2 | |
| 20 V | |
| 5,1 A, 3,2 A | |
| 41 mOhms, 97 mOhms | |
| - 12 V, + 12 V | |
| 1,1 V, 1 V | |
| 700 PC, PC 590 | |
| - 55 C | |
| + 175 C | |
| 2,5 W | |
| Aumento | |
| Carrete | |
| Corte la cinta | |
| MouseReel | |
| Configuración: | Dual |
| Tiempo de caída: | 1,4 ns, 4,7 ns |
| Transconductancia delantera - minuto: | 5,5 S, 3,4 S |
| Altura: | 1,1 milímetros |
| Longitud: | 3,3 milímetros |
| Tipo de producto: | MOSFET |
| Tiempo de subida: | 2 ns, 3,7 ns |
| 5000 | |
| Subcategoría: | MOSFETs |
| Tipo del transistor: | 1 canal N, 1 P-canal |
| Tiempo de retraso típico de la vuelta-Apagado: | 12,2 ns, ns 11,3 |
| Tiempo de retraso de abertura típico: | 4,9 ns, 7,4 ns |
| Anchura: | 3,3 milímetros |
| Parte # alias: | SP000961028 BSZ15DC02KDHXTMA1 |
| Peso de unidad: | 0,001367 onzas |
MOSFET discreto de los transistores de los semiconductores de BSZ15DC02KDH original y nuevo
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