Transistores del MOSFET de IRFR1018EPBF
Number modelo:IRFR1018EPBF
Lugar del origen:Original
Cantidad de orden mínima:10pcs
Condiciones de pago:T/T, Western Union, PayPay
Capacidad de la fuente:1000PCS/Months
Plazo de expedición:2-3 días laborables
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Shenzhen China
Dirección:
5C,Building D,GALAXY WORLD.Longhua District, Shenzhen.CN
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Dentro de 48 Horas
Detalles del producto
Perfil de la compañía
Detalles del producto
Transistores Si TO-252-3 del MOSFET de IRFR1018EPBF originales en existencia
Usos
Rectificación síncrona de la eficacia alta en SMPS
Sistema de alimentación ininterrumpida
Transferencia de alta velocidad del poder
Circuitos difícilmente cambiados y de alta frecuencia
Ventajas
Puerta mejorada, avalancha y aspereza dinámica de dv/dt
Capacitancia completamente caracterizada y avalancha SOA
Diodo aumentado dV/dt del cuerpo y capacidad de dI/dt
| Cualidad de producto | Valor del atributo |
| Categoría de producto: | MOSFET |
| Tecnología: | Si |
| Montaje de estilo: | SMD/SMT |
| Paquete/caso: | TO-252-3 |
| Polaridad del transistor: | Canal N |
| Número de canales: | 1 canal |
| Vds - voltaje de avería de la Dren-fuente: | 60 V |
| Identificación - corriente continua del dren: | 79 A |
| Rds en - resistencia de la Dren-fuente: | 7,1 mOhms |
| Vgs - voltaje de la Puerta-fuente: | - 20 V, + 20 V |
| Qg - carga de la puerta: | 46 nC |
| Paladio - disipación de poder: | 110 W |
| Empaquetado: | Tubo |
| Configuración: | Solo |
| Altura: | 2,3 milímetros |
| Longitud: | 6,5 milímetros |
| Tipo de producto: | MOSFET |
| Cantidad del paquete de la fábrica: | 3000 |
| Subcategoría: | MOSFETs |
| Tipo del transistor: | 1 canal N |
| Anchura: | 6,22 milímetros |
| Parte # alias: | SP001567496 |
| Peso de unidad: | magnesio 330 |
Q: ¿Puede usted aceptar pequeña orden?
: Sí, la pequeña orden está disponible. Entre en contacto con por
favor con nosotros.
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pagamos el coste de carga.
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Transistores del MOSFET de IRFR1018EPBF
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