Transistores bipolares 18.8dB del RF de los transistores de ASI MRF9045LR1
Number modelo:MRF9045LR1
Lugar del origen:Original
Cantidad de orden mínima:10pcs
Condiciones de pago:L/C, Western Union, palpay
Capacidad de la fuente:1000PCS/Months
Plazo de expedición:2-3 días laborables
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Shenzhen China
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5C,Building D,GALAXY WORLD.Longhua District, Shenzhen.CN
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Detalles del producto
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Detalles del producto
Original bipolar del Si de los transistores de MRF9045LR1TRANSISTORS RF en existencia
El ASI MRF9045LR1 es un alto voltaje, oro-metalizado,
semiconductor de óxido de metal lateralmente difundido. Ideal para de hoy
Usos del amplificador de potencia del RF.
| Transistores del MOSFET del RF | |
| RoHS: | Detalles |
| Canal N | |
| Si | |
| 4,25 A | |
| 65 V | |
| 945 megaciclos | |
| DB 18,8 | |
| 60 W | |
| SMD/SMT | |
| NI-360 | |
| Bandeja | |
| Configuración: | Solo |
| Transconductancia delantera - minuto: | 3 S |
| Paladio - disipación de poder: | 117 W |
| Tipo de producto: | Transistores del MOSFET del RF |
| Subcategoría: | MOSFETs |
| Tipo: | MOSFET del poder del RF |
| Vgs - voltaje de la Puerta-fuente: | 15 V |
| Th de Vgs - voltaje del umbral de la Puerta-fuente: | 4,8 V |
| Peso de unidad: | 0,032480 onzas |
Dos típicos•
−
Tone Performance en 945 megaciclos, 28 voltios
De potencia de salida — 45 vatios de PEP
Aumento del poder — DB 18,8
Eficacia — los 42%
IMD —
−
dBc 32
•
Protección integrada del ESD
•
Diseñado para la llanura máxima de la fase del aumento y de la
inserción
•
Capaz de manejar el 10:1 VSWR, @ 28 VDC, 945 megaciclos, 45 vatios
de CW
De potencia de salida
•
Estabilidad termal excelente
•
Caracterizado con el equivalente de la serie grande
−
Parámetros de la impedancia de la señal
•
En cinta y carrete. Sufijo R1 = 500 unidades por 32 milímetros,
carrete de 13 pulgadas.
•
Grueso bajo del chapado en oro en las ventajas. L sufijo indica 40
′ del ′ del μ
Nomin
•
Dos típicos
−
Tone Performance en 945 megaciclos, 28 voltios
De potencia de salida — 45 vatios de PEP
Aumento del poder — DB 18,8
Eficacia — los 42%
IMD —
−
dBc 32
•
Protección integrada del ESD
•
Diseñado para la llanura máxima de la fase del aumento y de la
inserción
•
Capaz de manejar el 10:1 VSWR, @ 28 VDC, 945 megaciclos, 45 vatios
de CW
De potencia de salida
•
Estabilidad termal excelente
•
Caracterizado con el equivalente de la serie grande
−
Parámetros de la impedancia de la señal
•
En cinta y carrete. Sufijo R1 = 500 unidades por 32 milímetros,
carrete de 13 pulgadas.
•
Grueso bajo del chapado en oro en las ventajas. L sufijo indica 40
′ del ′ del μ
Nomin
•
Dos típicos
−
Tone Performance en 945 megaciclos, 28 voltios
De potencia de salida — 45 vatios de PEP
Aumento del poder — DB 18,8
Eficacia — los 42%
IMD —
−
dBc 32
•
Protección integrada del ESD
•
Diseñado para la llanura máxima de la fase del aumento y de la
inserción
•
Capaz de manejar el 10:1 VSWR, @ 28 VDC, 945 megaciclos, 45 vatios
de CW
De potencia de salida
•
Estabilidad termal excelente
•
Caracterizado con el equivalente de la serie grande
−
Parámetros de la impedancia de la señal
•
En cinta y carrete. Sufijo R1 = 500 unidades por 32 milímetros,
carrete de 13 pulgadas.
•
Grueso bajo del chapado en oro en las ventajas. L sufijo indica 40
′ del ′ del μ
Nomin
•
Dos típicos
−
Tone Performance en 945 megaciclos, 28 voltios
De potencia de salida — 45 vatios de PEP
Aumento del poder — DB 18,8
Eficacia — los 42%
IMD —
−
dBc 32
•
Protección integrada del ESD
•
Diseñado para la llanura máxima de la fase del aumento y de la
inserción
•
Capaz de manejar el 10:1 VSWR, @ 28 VDC, 945 megaciclos, 45 vatios
de CW
De potencia de salida
•
Estabilidad termal excelente
•
Caracterizado con el equivalente de la serie grande
−
Parámetros de la impedancia de la señal
•
En cinta y carrete. Sufijo R1 = 500 unidades por 32 milímetros,
carrete de 13 pulgadas.
•
Grueso bajo del chapado en oro en las ventajas. L sufijo indica 40
′ del ′ del μ
Nomin
MRF9045LR1 MRF9045LSR1
5
−
1
Datos del radioinstrumento
Semiconductor de Freescale
Transistores de efecto de campo del poder del RF
N
−
Aumento del canal
−
MOSFETs laterales del modo
Diseñado
para los usos comerciales e industriales de banda ancha con el
frequen-
cies hasta 1000 megaciclos. El alto GA
en y funcionamiento de banda ancha de éstos
los dispositivos los hacen ideales para grande
−
señal, común
−
applica- del amplificador de la fuente
tions en el equipo de la estación base de 28 voltios.
•
Dos típicos
−
Tone Performance en 945 megaciclos, 28 voltios
De potencia de salida — 45 vatios de PEP
Aumento del poder — DB 18,8
Eficacia — los 42%
IMD —
−
dBc 32
•
Protección integrada del ESD
•
Diseñado para la llanura máxima de la fase del aumento y de la
inserción
•
Capaz de manejar el 10:1 VSWR, @ 28 VDC, 945 megaciclos, 45 vatios
de CW
De potencia de salida
•
Estabilidad termal excelente
•
Caracterizado con el equivalente de la serie grande
−
Parámetros de la impedancia de la señal
•
En cinta y carrete. Sufijo R1 = 500 unidades por 32 milímetros,
carrete de 13 pulgadas.
•
Grueso bajo del chapado en oro en las ventajas. L sufijo indica 40
′ del ′ del μ
No
Transistores bipolares 18.8dB del RF de los transistores de ASI MRF9045LR1
Carro de la investigación
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