Canal N 600V del chip CI del transistor del MOSFET de FCB36N60NTM SMD SMT
Number modelo:FCB36N60NTM
Lugar del origen:Original
Cantidad de orden mínima:10pcs
Condiciones de pago:T/T, Western Union, PayPay
Capacidad de la fuente:1000PCS/Months
Plazo de expedición:2-3 días laborables
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Shenzhen China
Dirección:
5C, D constructiva, distrito de la GALAXIA WORLD.Longhua, Shenzhen.CN
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Detalles del producto
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Detalles del producto
Original discreta de los semiconductores de los transistores del MOSFET de FCB36N60NTM
| Cualidad de producto | Valor del atributo |
| Categoría de producto: | MOSFET |
| Tecnología: | Si |
| Montaje de estilo: | SMD/SMT |
| Paquete/caso: | SC-70-3 |
| Polaridad del transistor: | Canal N |
| Número de canales: | 1 canal |
| Vds - voltaje de avería de la Dren-fuente: | 600 V |
| Identificación - corriente continua del dren: | 36 A |
| Rds en - resistencia de la Dren-fuente: | 90 mOhms |
| Vgs - voltaje de la Puerta-fuente: | - 30 V, + 30 V |
| Th de Vgs - voltaje del umbral de la Puerta-fuente: | 4 V |
| Qg - carga de la puerta: | 112 nC |
| Temperatura de funcionamiento mínima: | - 55 C |
| Temperatura de funcionamiento máximo: | + 150 C |
| Paladio - disipación de poder: | 312 W |
| Modo del canal: | Aumento |
| Empaquetado: | Carrete |
| Empaquetado: | Corte la cinta |
| Empaquetado: | MouseReel |
| Configuración: | Solo |
| Tiempo de caída: | 4 ns |
| Transconductancia delantera - minuto: | 41 S |
| Altura: | 4,83 milímetros |
| Longitud: | 10,67 milímetros |
| Tipo de producto: | MOSFET |
| Tiempo de subida: | 22 ns |
| Serie: | FCB36N60N |
| Cantidad del paquete de la fábrica: | 800 |
| Subcategoría: | MOSFETs |
| Tipo del transistor: | 1 canal N |
| Tiempo de retraso típico de la vuelta-Apagado: | 94 ns |
| Tiempo de retraso de abertura típico: | 23 ns |
| Anchura: | 9,65 milímetros |
| Peso de unidad: | 4 g |
Canal N 600V del chip CI del transistor del MOSFET de FCB36N60NTM SMD SMT
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