Canal N 600V del chip CI del transistor del MOSFET de FCB36N60NTM SMD SMT

Number modelo:FCB36N60NTM
Lugar del origen:Original
Cantidad de orden mínima:10pcs
Condiciones de pago:T/T, Western Union, PayPay
Capacidad de la fuente:1000PCS/Months
Plazo de expedición:2-3 días laborables
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Shenzhen China
Dirección: 5C,Building D,GALAXY WORLD.Longhua District, Shenzhen.CN
Proveedor Último login veces: Dentro de 48 Horas
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Detalles del producto

Original discreta de los semiconductores de los transistores del MOSFET de FCB36N60NTM

 

 

Cualidad de productoValor del atributo
Categoría de producto:MOSFET
Tecnología:Si
Montaje de estilo:SMD/SMT
Paquete/caso:SC-70-3
Polaridad del transistor:Canal N
Número de canales:1 canal
Vds - voltaje de avería de la Dren-fuente:600 V
Identificación - corriente continua del dren:36 A
Rds en - resistencia de la Dren-fuente:90 mOhms
Vgs - voltaje de la Puerta-fuente:- 30 V, + 30 V
Th de Vgs - voltaje del umbral de la Puerta-fuente:4 V
Qg - carga de la puerta:112 nC
Temperatura de funcionamiento mínima:- 55 C
Temperatura de funcionamiento máximo:+ 150 C
Paladio - disipación de poder:312 W
Modo del canal:Aumento
Empaquetado:Carrete
Empaquetado:Corte la cinta
Empaquetado:MouseReel
Configuración:Solo
Tiempo de caída:4 ns
Transconductancia delantera - minuto:41 S
Altura:4,83 milímetros
Longitud:10,67 milímetros
Tipo de producto:MOSFET
Tiempo de subida:22 ns
Serie:FCB36N60N
Cantidad del paquete de la fábrica:800
Subcategoría:MOSFETs
Tipo del transistor:1 canal N
Tiempo de retraso típico de la vuelta-Apagado:94 ns
Tiempo de retraso de abertura típico:23 ns
Anchura:9,65 milímetros
Peso de unidad:4 g

 

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Canal N 600V del chip CI del transistor del MOSFET de FCB36N60NTM SMD SMT

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