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Transistor del canal N del MOSFET NFET SO8 30V de NTMD4840NR2G
MOSFET – Poder, dual, canal N, SOIC-8 30 V, 7,5 A
CARACTERÍSTICAS
• RDS bajo (encendido) para minimizar pérdidas de la conducción
• Capacitancia baja para minimizar al conductor Losses
• Carga optimizada de la puerta para minimizar pérdidas que cambian
• El paquete superficial dual del soporte SOIC−8 ahorra el espacio del tablero
• Esto es un dispositivo de Pb−Free
Usos
• Accionamientos de disco
• Convertidores de DC−DC
• Impresoras
MOSFET | |
RoHS: | Detalles |
Si | |
SMD/SMT | |
SOIC-8 | |
Canal N | |
Canal 2 | |
30 V | |
4,5 A | |
28 mOhms | |
- 20 V, + 20 V | |
1,5 V | |
4,8 nC | |
- 55 C | |
+ 150 C | |
W 1,95 | |
Aumento | |
Carrete | |
Corte la cinta | |
MouseReel | |
Configuración: | Dual |
Tiempo de caída: | 3 ns |
Transconductancia delantera - minuto: | 15 S |
Altura: | 1,5 milímetros |
Longitud: | 5 milímetros |
Producto: | Pequeña señal del MOSFET |
Tipo de producto: | MOSFET |
Tiempo de subida: | 5 ns |
Serie: | NTMD4840N |
Cantidad del paquete de la fábrica: | 2500 |
Subcategoría: | MOSFETs |
Tipo del transistor: | Canal N 2 |
Tipo: | MOSFET del poder |
Tiempo de retraso típico de la vuelta-Apagado: | 17 ns |
Tiempo de retraso de abertura típico: | 7,6 ns |
Anchura: | 4 milímetros |
Peso de unidad: | magnesio 74 |