Módulo de poder de BSC011N03LSI IGBT con resistencia interna baja de gran intensidad
Number modelo:BSC011N03LSI
Lugar del origen:Infineon
Cantidad de orden mínima:1
Condiciones de pago:T/T
Capacidad de la fuente:3000
Detalles de empaquetado:Los cartones
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REY EDIFICIO INDUSTRIAL de FLAT/RM D52 3/F WONG NINGUNA CALLE de 2TAU=I YAU
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Módulo de poder de BSC011N03LSI IGBT con resistencia interna baja de gran intensidad
Mosfet TDSON-8 de BSC011N03LSI con resistencia interna de gran intensidad y baja
| Cualidad de producto | Valor del atributo | Búsqueda similar |
|---|---|---|
| Infineon | ||
| MOSFET | ||
| RoHS: | Detalles | |
| Si | ||
| SMD/SMT | ||
| TDSON-8 | ||
| Canal N | ||
| 1 canal | ||
| 30 V | ||
| 230 A | ||
| 1,1 mOhms | ||
| - 20 V, + 20 V | ||
| 2 V | ||
| 68 nC | ||
| - 55 C | ||
| + 150 C | ||
| 96 W | ||
| Aumento | ||
| OptiMOS | ||
| Carrete | ||
| Corte la cinta | ||
| MouseReel | ||
| Marca: | Infineon Technologies | |
| Configuración: | Solo | |
| Tiempo de caída: | 6,2 ns | |
| Transconductancia delantera - minuto: | 80 S | |
| Altura: | 1,27 milímetros | |
| Longitud: | 5,9 milímetros | |
| Tipo de producto: | MOSFET | |
| Tiempo de subida: | 9,2 ns | |
| 5000 | ||
| Subcategoría: | MOSFETs | |
| Tipo del transistor: | 1 canal N | |
| Tiempo de retraso típico de la vuelta-Apagado: | 35 ns | |
| Tiempo de retraso de abertura típico: | 6,4 ns | |
| Anchura: | 5,15 milímetros | |
| Parte # alias: | BSC11N3LSIXT SP000884574 BSC011N03LSIATMA1 | |
| Peso de unidad: | 0,003683 onzas |
Módulo de poder de BSC011N03LSI IGBT con resistencia interna baja de gran intensidad
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