Transistores bipolares del módulo de poder de MMBT5551LT1G IGBT 600mA 160V BJT

Number modelo:MMBT5551LT1G

Lugar del origen:EN

Cantidad de orden mínima:3000

Condiciones de pago:T/T

Capacidad de la fuente:10000

Plazo de expedición:5-8 días laborables

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Dirección: REY EDIFICIO INDUSTRIAL de FLAT/RM D52 3/F WONG NINGUNA CALLE de 2TAU=I YAU

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Fabricante:	onsemi
Categoría de producto:	Transistores bipolares - BJT
RoHS:	Detalles
Montaje de estilo:	SMD/SMT
Paquete/caso:	SOT-23-3
Polaridad del transistor:	NPN
Configuración:	Solo
Voltaje VCEO del emisor del colector máximo:	160 V
Voltaje bajo VCBO del colector:	180 V
Voltaje bajo VEBO del emisor:	6 V
Voltaje de saturación del Colector-emisor:	200 milivoltio
Corriente de colector máxima de DC:	600 mA
Paladio - disipación de poder:	225 mW
Producto pie del ancho de banda del aumento:	-
Temperatura de funcionamiento mínima:	- 55 C
Temperatura de funcionamiento máximo:	+ 150 C
Serie:	MMBT5551L
Empaquetado:	Carrete
Empaquetado:	Corte la cinta
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	onsemi
Corriente de colector continua:	0,6 A
Colector de DC/minuto bajo del hfe del aumento:	80
HFE del aumento actual de DC máximo:	250
Altura:	0,94 milímetros
Longitud:	2,9 milímetros
Tipo de producto:	BJTs - transistores bipolares
Cantidad del paquete de la fábrica	3000
Subcategoría:	Transistores
Tecnología:	Si
Anchura:	1,3 milímetros
Peso de unidad:	0,000282 onzas