Poder del canal N 500mV 30V RF de los transistores del MOSFET de AFT05MS003NT1
Number modelo:AFT05MS003NT1
Cantidad de orden mínima:1
Condiciones de pago:T/T
Capacidad de la fuente:días 10000+3-5work
Plazo de expedición:3-5 días del trabajo
Detalles de empaquetado:SOT-89-3, Corte la cinta, carrete
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REY EDIFICIO INDUSTRIAL de FLAT/RM D52 3/F WONG NINGUNA CALLE de 2TAU=I YAU
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Poder del canal N 500mV 30V RF de los transistores del MOSFET de AFT05MS003NT1
AFT05MS003NT1, , transistores del MOSFET del RF, canal N, - 500 milivoltios, 30 V, MOSFET del poder del RF, 1,8 megaciclos a 941 megaciclos, 20,8 DB, SOT-89-3
| Cualidad de producto | Valor del atributo |
|---|---|
| Transistores del MOSFET del RF | |
| Canal N | |
| Si | |
| 2,6 A | |
| - 500 milivoltios, 30 V | |
| 1,8 megaciclos a 941 megaciclos | |
| DB 20,8 | |
| 3,2 W | |
| - 40 C | |
| + 150 C | |
| SMD/SMT | |
| SOT-89-3 | |
| Carrete | |
| Corte la cinta | |
| Marca: | Semiconductores de |
| Número de canales: | 1 canal |
| Paladio - disipación de poder: | 30,5 W |
| Tipo de producto: | Transistores del MOSFET del RF |
| Subcategoría: | MOSFETs |
| Tipo: | MOSFET del poder del RF |
| Vgs - voltaje de la Puerta-fuente: | - 6 V, 12 V |
| Th de Vgs - voltaje del umbral de la Puerta-fuente: | 2,2 V |
| Parte # alias: | 935312585147 |
| Peso de unidad: | 0,001792 onzas |
Poder del canal N 500mV 30V RF de los transistores del MOSFET de AFT05MS003NT1
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