empaquetado del carrete de IC NCV57001FDWR2G del conductor de la puerta del MOSFET de 3.3V 4A IGBT

Number modelo:NCV57001FDWR2G
Lugar del origen:EN
Cantidad de orden mínima:1
Condiciones de pago:T/T
Capacidad de la fuente:3000
Detalles de empaquetado:Los cartones
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Dirección: REY EDIFICIO INDUSTRIAL de FLAT/RM D52 3/F WONG NINGUNA CALLE de 2TAU=I YAU
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empaquetado del carrete de IC NCV57001FDWR2G del conductor de la puerta del MOSFET de 3.3V 4A IGBT


Impulsión IC SOIC-16 de la puerta de NCV57001FDWR2G [E DE GRAN INTENSIDAD Y ALTA AISLADA]

onsemi
Conductores de la puerta
RoHS:Detalles
IGBT, conductores de la puerta del MOSFET
SMD/SMT
1 conductor
1 salida
4 A
3,3 V
5 V
Inversión, No-invirtiendo
10 ns
15 ns
- 40 C
+ 125 C
Carrete
Corte la cinta
Marca:onsemi
Tipo de producto:Conductores de la puerta
1000
Subcategoría:PMIC - Gestión ICs del poder
China empaquetado del carrete de IC NCV57001FDWR2G del conductor de la puerta del MOSFET de 3.3V 4A IGBT supplier

empaquetado del carrete de IC NCV57001FDWR2G del conductor de la puerta del MOSFET de 3.3V 4A IGBT

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