Chip CI del circuito integrado de MUN5312DW1T1G

Number modelo:MUN5312DW1T1G

Lugar del origen:EN

Cantidad de orden mínima:1

Condiciones de pago:T/T

Capacidad de la fuente:3000

Detalles de empaquetado:Los cartones

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Dirección: REY EDIFICIO INDUSTRIAL de FLAT/RM D52 3/F WONG NINGUNA CALLE de 2TAU=I YAU

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el chip de ic ba6v1x PM8994 chip de ic el chip r2a20250

Carro de la investigación 0

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Fabricante:	onsemi
Categoría de producto:	Transistores bipolares - Pre-en polarización negativa
RoHS:	Detalles
Configuración:	Dual
Polaridad del transistor:	NPN, PNP
Resistor entrado típico:	22 kOhms
Ratio típico del resistor:	1
Montaje de estilo:	SMD/SMT
Paquete/caso:	SC-88-6
Colector de DC/minuto bajo del hfe del aumento:	60
Voltaje VCEO del emisor del colector máximo:	50 V
Corriente de colector continua:	0,1 A
Corriente de colector máxima de DC:	100 mA
Paladio - disipación de poder:	187 mW
Temperatura de funcionamiento mínima:	- 55 C
Temperatura de funcionamiento máximo:	+ 150 C
Serie:	MUN5312DW1
Empaquetado:	Carrete
Empaquetado:	Corte la cinta
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	onsemi
HFE del aumento actual de DC máximo:	60 en 5 mA en 10 V
Altura:	0,9 milímetros
Longitud:	2 milímetros
Número de canales:	Canal 2
Tipo de producto:	BJTs - transistores bipolares - Pre-en polarización negativa
	3000
Subcategoría:	Transistores
Anchura:	1,25 milímetros
Peso de unidad:	0,000219 onzas