0.35W Mosfets del transistor del campo del canal N 0.22A BSS138
Número de modelo:BSS138
Lugar del origen:CHINA
Cantidad de orden mínima:3000pcs
Condiciones de pago:T/T, MoneyGram
Capacidad de la fuente:1 mil millones pedazos del mes
Plazo de expedición:4-5weeks
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Dongguan Guangdong China
Dirección:
Parque cibernético de Tianan, camino de No.1 Huangjin, distrito de Nancheng, ciudad de Dongguan, provincia de Guangdong, China
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Detalles del producto
Perfil de la compañía
Detalles del producto
SOT-23 Plástico-encapsulan los MOSFETS
BSS138 MOSFET del canal N 50-V (D-S)
CARACTERÍSTICAS
1. Diseño de alta densidad de la célula para extremadamente - el
RDS bajo (encendido)
2.Rugged y Relaible
2.Rugged y Relaible
USOS
interfaz del Lógica-nivel 1.Direct: TTL/CMOS
2.Drivers: Retransmisiones, solenoides, lámparas, martillos, exhibición, memorias, transistores, etc.
3. sistemas con pilas
4. Retransmisiones de estado sólido
2.Drivers: Retransmisiones, solenoides, lámparas, martillos, exhibición, memorias, transistores, etc.
3. sistemas con pilas
4. Retransmisiones de estado sólido
Grados máximos (Ta=25℃ a menos que se indicare en forma diferente)
| Parámetro | Símbolo | Valor | Unidad | ||||||||||||||||||||||||||||||
| Voltaje de la Dren-fuente | VDS | 50 | V | ||||||||||||||||||||||||||||||
| Voltaje continuo de la Puerta-fuente | VGSS | ±20 | |||||||||||||||||||||||||||||||
| Corriente continua del dren | Identificación | 0,22 | |||||||||||||||||||||||||||||||
| Disipación de poder | Paladio | 0,35 | W | ||||||||||||||||||||||||||||||
| Resistencia termal del empalme a ambiente | RθJA | 357 | ℃/W | ||||||||||||||||||||||||||||||
| Temperatura de funcionamiento | Tj | 150 | ℃ | ||||||||||||||||||||||||||||||
| Temperatura de almacenamiento | Tstg | -55 ~+150 | |||||||||||||||||||||||||||||||
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS (℃ Ta=25 salvo especificación de lo
contrario)
| Parámetro | Símbolo | Condición de prueba | Minuto | Tipo | Máximo | Unidades | ||||||||||||||||||||||||||||
| De características | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| voltaje de avería de la Dren-fuente | V (BR) DSS | VGS = 0V, IDENTIFICACIÓN =250µA | 50 | V | ||||||||||||||||||||||||||||||
| salida del Puerta-cuerpo | IGSS | VDS =0V, VGS =±20V | ±100 | nA | ||||||||||||||||||||||||||||||
| Corriente cero del dren del voltaje de la puerta | IDSS | VDS =50V, VGS =0V | 0,5 | µA | ||||||||||||||||||||||||||||||
| VDS =30V, VGS =0V | 100 | nA | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| En características | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| voltaje del Puerta-umbral (nota 1) | VGS (th) | VDS =VGS, IDENTIFICACIÓN =1MA | 0,80 | 1,50 | V | |||||||||||||||||||||||||||||
| En-resistencia estática de la dren-fuente (nota 1) | RDS (encendido) | VGS =10V, IDENTIFICACIÓN =0.22A | 3,50 | Ω | ||||||||||||||||||||||||||||||
| VGS =4.5V, IDENTIFICACIÓN =0.22A | 6 | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| Transconductancia delantera (nota 1) | gFS | VDS =10V, IDENTIFICACIÓN =0.22A | 0,12 | S | ||||||||||||||||||||||||||||||
| Características dinámicas (nota 2) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Capacitancia entrada | CISS | VDS =25V, VGS =0V, f=1MHz | 27 | PF | ||||||||||||||||||||||||||||||
| Capacitancia de salida | Coss | 13 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| Capacitancia reversa de la transferencia | Crss | 6 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| Características que cambian | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Tiempo de retraso de abertura (nota 1,2) | TD (encendido) | VDD =30V, VDS =10V, IDENTIFICACIÓN =0.29A, RGEN =6Ω | 5 | ns | ||||||||||||||||||||||||||||||
| Tiempo de subida (nota 1,2) | tr | 18 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| Tiempo de retraso de la vuelta-apagado (nota 1,2) | TD (apagado) | 36 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| Tiempo de caída (nota 1,2) | tf | 14 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| características de diodo del cuerpo de la Dren-fuente | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Voltaje delantero del diodo del cuerpo (nota 1) | VSD | ES =0.44A, VGS = 0V | 1,4 | V | ||||||||||||||||||||||||||||||
Notas:
1. prueba del pulso; Anchura de pulso ≤300µs, ciclo de trabajo el ≤2%.
2. Estos parámetros no tienen ninguna manera de verificar.
1. prueba del pulso; Anchura de pulso ≤300µs, ciclo de trabajo el ≤2%.
2. Estos parámetros no tienen ninguna manera de verificar.
0.35W Mosfets del transistor del campo del canal N 0.22A BSS138
Carro de la investigación
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