Mosfet plástico de la baja tensión del canal N BC3400 350mW 5.8A
Número de modelo:BC3400
Lugar del origen:CHINA
Cantidad de orden mínima:3000pcs
Condiciones de pago:T/T, Paypal, efectivo
Capacidad de la fuente:1 mil millones pedazos del mes
Plazo de expedición:2-4weeks
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Dongguan Guangdong China
Dirección:
Parque cibernético de Tianan, camino de No.1 Huangjin, distrito de Nancheng, ciudad de Dongguan, provincia de Guangdong, China
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Detalles del producto
Perfil de la compañía
Detalles del producto
SOT-23 Plástico-encapsulan los MOSFETS
Transistor de efecto de campo del modo del aumento del canal N BC3400
CARACTERÍSTICAS
Alto diseño denso de la célula para extremadamente - el RDS bajo
(ENCENDIDO)
En-resistencia excepcional y capacidad actual máxima de DC
Grados máximos (Ta=25℃ a menos que se indicare en forma diferente)
| Parámetro | Símbolo | Valor | Unidad | ||||||||||||||||||||||||||||
| Voltaje de la Dren-fuente | VDS | 30 | V | ||||||||||||||||||||||||||||
| Voltaje de la Puerta-fuente | VGS | ±12 | V | ||||||||||||||||||||||||||||
| Corriente continua del dren | Identificación | 5,8 | |||||||||||||||||||||||||||||
| Dren Actual-pulsado (nota 1) | IDM | 30 | |||||||||||||||||||||||||||||
| Disipación de poder | Paladio | 350 | mW | ||||||||||||||||||||||||||||
| Resistencia termal del empalme a ambiente (nota 2) | RθJA | 357 | ℃/W | ||||||||||||||||||||||||||||
| Temperatura de empalme | TJ | 150 | ℃ | ||||||||||||||||||||||||||||
| Temperatura de almacenamiento | TSTG | -55~+150 | ℃ | ||||||||||||||||||||||||||||
Características eléctricas (Ta=25℃ a menos que se indicare en forma
diferente)
| Parámetro | Símbolo | Condición de prueba | Minuto | Tipo | Máximo | Unidades | ||||||||||||||||||||||||
| De características | ||||||||||||||||||||||||||||||
| voltaje de avería de la Dren-fuente | V (BR) DSS | VGS = 0V, IDENTIFICACIÓN =250µA | 30 | V | ||||||||||||||||||||||||||
| Corriente cero del dren del voltaje de la puerta | IDSS | VDS =24V, VGS = 0V | 1 | µA | ||||||||||||||||||||||||||
| corriente de la salida de la Puerta-fuente | IGSS | VGS =±12V, VDS = 0V | ±100 | nA | ||||||||||||||||||||||||||
| En características | ||||||||||||||||||||||||||||||
| en-resistencia de la Dren-fuente (nota 3) | RDS (encendido) | VGS =10V, IDENTIFICACIÓN =5.8A | 35 | mΩ | ||||||||||||||||||||||||||
| VGS =4.5V, IDENTIFICACIÓN =5A | 40 | mΩ | ||||||||||||||||||||||||||||
| Tranconductance delantero | gFS | VDS =5V, IDENTIFICACIÓN =5A | 8 | S | ||||||||||||||||||||||||||
| Voltaje del umbral de la puerta | VGS (th) | VDS =VGS, IDENTIFICACIÓN =250ΜA | 0,7 | 1,4 | V | |||||||||||||||||||||||||
| Características dinámicas (nota 4,5) | ||||||||||||||||||||||||||||||
| Capacitancia entrada | CISS | VDS =15V, VGS =0V, f =1MHz | 1050 | PF | ||||||||||||||||||||||||||
| Capacitancia de salida | Coss | 99 | PF | |||||||||||||||||||||||||||
| Capacitancia reversa de la transferencia | Crss | 77 | PF | |||||||||||||||||||||||||||
| Resistencia de la puerta | Rg | VDS =0V, VGS =0V, f =1MHz | 3,6 | Ω | ||||||||||||||||||||||||||
| Características que cambian (nota 4,5) | ||||||||||||||||||||||||||||||
| Tiempo de retraso de abertura | TD (encendido) | VGS =10V, VDS =15V, RL =2.7Ω, RGEN =3Ω | 5 | ns | ||||||||||||||||||||||||||
| Tiempo de subida de abertura | tr | 7 | ns | |||||||||||||||||||||||||||
| Tiempo de retraso de la vuelta-apagado | TD (apagado) | 40 | ns | |||||||||||||||||||||||||||
| Tiempo de caída de la vuelta-apagado | tf | 6 | ns | |||||||||||||||||||||||||||
| características de diodo de la Dren-fuente y grados máximos | ||||||||||||||||||||||||||||||
| Voltaje delantero del diodo (nota 3) | VSD | ES =1A, VGS =0V | 1 | V | ||||||||||||||||||||||||||
Nota:
1. grado repetidor: Anchura de pulso limitada por temperatura de empalme máxima.
2. superficial montado en FR4 el tablero, T3 < 5="" sec=""> . Prueba del pulso: Pulso Width≤300µs, ≤ el 2% del ciclo de trabajo.
4. garantizado por diseño, no conforme a la prueba de la producción.
1. grado repetidor: Anchura de pulso limitada por temperatura de empalme máxima.
2. superficial montado en FR4 el tablero, T3 < 5="" sec=""> . Prueba del pulso: Pulso Width≤300µs, ≤ el 2% del ciclo de trabajo.
4. garantizado por diseño, no conforme a la prueba de la producción.
Mosfet plástico de la baja tensión del canal N BC3400 350mW 5.8A
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