Planar epitaxial de transferencia del soporte de la superficie de SMD del silicio de alto voltaje del diodo

Número de modelo:BAV19WS SOD-323
Lugar del origen:China
Cantidad de orden mínima:3000
Condiciones de pago:T/T, Paypal, efectivo
Plazo de expedición:2-4 semanas
Detalles de empaquetado:carrete 3000pcs/en general
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Dongguan Guangdong China
Dirección: Parque cibernético de Tianan, camino de No.1 Huangjin, distrito de Nancheng, ciudad de Dongguan, provincia de Guangdong, China
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Diodo de transferencia de alto voltaje de los diodos planares epitaxiales del silicio

 

Planar epitaxial del soporte de SMD de transferencia del silicio de alto voltaje superficial del diodo

Diodo de transferencia rápido de BAV19WS/BAV20WS/BAV21WS

 
 
 
 
 
Características de la especificación:

 

 

  • Velocidad que cambia rápida
  • Paquete superficial del soporte adecuado idealmente para la inserción automática
  • Para los usos que cambian de fines generales
  •  

 

 

 

 

Grados máximos absolutos y características en (Ta=25℃ salvo especificación de lo contrario)

 

 

 

ParámetroSímboloValor

 

Unidades

 

Voltaje reverso máximo repetidorVRRM120

 

V

 

Voltaje reversoVR100

 

V

 

Currenet continuo delanteroIFM400

 

mA

 

Sobretensión delantera máxima sin repetición en t=1usIFSM2,5
Disipación de poderPaladio200

 

mW

 

 

 

 

 

 

 

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Planar epitaxial de transferencia del soporte de la superficie de SMD del silicio de alto voltaje del diodo

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