Diodo de Schottky del silicio de SS110 SMB, diodos 100V para los usos automotrices

Número de modelo:SS110 SMB
Lugar del origen:China
Cantidad de orden mínima:3000 PC
Condiciones de pago:T/T, Paypal, efectivo
Capacidad de la fuente:1 mil millones pedazos del mes
Plazo de expedición:2-4 semanas
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Dongguan Guangdong China
Dirección: Parque cibernético de Tianan, camino de No.1 Huangjin, distrito de Nancheng, ciudad de Dongguan, provincia de Guangdong, China
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Diodo de Schottky del silicio de SS110 SMB para el uso automotriz

Diodo de Schottky del silicio de SS110 SMB, diodos 100V para los usos automotrices

 

 

SS12~SS120 SMB Datasheet.pdf

 

 

Características:
 

 

  • El paquete plástico lleva la clasificación 94V-0 de la inflamabilidad del laboratorio de los suscriptores
  • Para los usos montados superficiales
  • Salida reversa baja
  • Alivio de tensión incorporado, ideal para la colocación automatizada
  • Alta capacidad delantera de la sobretensión
  • El soldar de alta temperatura garantizado
  • 250 segundos C/10 en los terminales

 

 

 

Datos mecánicos:

 

 

  • Caso: Cuerpo plástico moldeado de JEDEC DO-214AA (SMB)
  • Terminales: La soldadura plateó, solderable por MIL-STD-750, método 2026
  • Polaridad: La banda del color denota el extremo del cátodo
  •  
  • Posición de montaje: Ningunos
  •  
  • Peso: 0,0035 onzas, 0,098 gramos

 

 

Grados máximos y características eléctricas:

 

 

Grados en 25 temperaturas ambiente de C salvo especificación de lo contrario. La carga la monofásico 60Hz de media-onda, resistente o inductivo, para la corriente capacitiva de la carga reduce la capacidad normal por el 20%.

 

 

Parámetro

 

SÍMBOLOS

 

SS12SS14SS16SS18SS110SS115SS120UNIDADES
Voltaje reverso del pico repetidor máximoVRRM20406080100150200Voltios
Voltaje máximo del RMS

 

VRMS

 

1428425670105140Voltios
Voltaje de bloqueo máximo de DC

 

VDC

 

20406080100150200Voltios
Corriente delantera media máxima del rectificador en TL=100°C

 

SI (SISTEMAS DE PESOS AMERICANOS)

 

1Amperios
Sobretensión delantera máxima, media onda sinusoidal 8.3msSingle sobrepuesta en carga clasificadaIFSM30Amperios
Voltaje delantero instantáneo máximo en 1.0A

 

VF

 

0,550,70,850,95Voltios
Corriente máxima del revés de DC en el voltaje de bloqueo clasificado de DCTA=25°CIR

 

0,5

 

0,05mA
TA=125°C

 

50

 

10

         

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Diodo de Schottky del silicio de SS110 SMB, diodos 100V para los usos automotrices

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