Detalles del producto
Rectificadores superficiales 1.0Amp 1000V SOD-123FL de la eficacia
alta del soporte
diodo superficial SOD-123FL del soporte del rectificador de la
eficacia alta de 1Amp 1000V
US1A~US1M SOD-123FL Datasheet.pdf
Características:
Datos mecánicos:
- Caso: JEDEC SOD123FL moldeó el cuerpo plástico
- Terminales: La soldadura plateó, solderable por MIL-STD-750, método
2026
- Polaridad: La banda del color denota el extremo del cátodo
- Posición de montaje: Ningunos
- Peso: 0.0007ounce, 0,02 gramos
Grados máximos y características eléctricas:
Grados en 25 temperaturas ambiente de C salvo especificación de lo
contrario. La carga la monofásico 60Hz de media-onda, resistente o
inductivo, para la corriente capacitiva de la carga reduce la
capacidad normal por el 20%.
Parámetro | SÍMBOLOS | US1AFL | US1BFL | US1DFL | US1GFL | US1JFL | US1KFL | US1MFL | UNIDADES |
|
Voltaje reverso del pico repetidor máximo | VRRM | 50 | 100 | 200 | 400 | 600 | 800 | 1000 | Voltios |
Voltaje máximo del RMS | VRMS | 35 | 70 | 140 | 280 | 420 | 560 | 700 | Voltios |
Voltaje de bloqueo máximo de DC | VDC | 50 | 100 | 200 | 400 | 600 | 800 | 1000 | Voltios |
Corriente delantera media máxima del rectificador en TL=55°C | SI (SISTEMAS DE PESOS AMERICANOS) | 1 | Amperios |
Sobretensión delantera máxima, media onda sinusoidal 8.3msSingle
sobrepuesta en carga clasificada | IFSM | 30 | Amperios |
Voltaje delantero instantáneo máximo en 1A | VF | 1 | 1,4 | 1,7 | Voltios |
Corriente máxima del revés de DC en el voltaje de bloqueo
clasificado de DC | TA=25°C | IR | 5 | μA |
TA=125°C | 500 |
Tiempo de recuperación reversa máximo | Trr | 50 | 75 | ns |
Capacitancia de empalme típica | CJ | 15 | PF |
Nota: condición de la recuperación 1.Reverse SI =0.5A, IR
=1.0A, Irr=0.25A
2.Measured en 1MHz y el voltaje reverso aplicado de C.C. 4.0V
Perfil de la compañía
La tecnología Co., Ltd. de la electrónica de Guangdong Huixin (en
adelante designado Huixin) se especializa en la investigación,
la producción, ventas y el servicio de los dispositivos de
semiconductor. La fábrica de Huixin miente en Jiangsu Provicne de
China, su gestión que el centro está en China
meridional, provincia de Guangdong.
Teniendo como objetivo a clientes de abastecimiento con servicios
eficientes, las oficinas de ventas y los tomacorrientes para
servicio han cubierto más de 30 regiones del mundo,
incluyendo Europa, América, la India, Corea, Asia y otras.
Huixin tiene una cadena de producción de la amplia gama del
semiconductor discreto, incluyendo los diodos, transistor, los
puentes rectificadores, mosfet, que han sido ampliamente utilizados
en la iluminación, la fuente de alimentación, la electrónica de
automóvil, la electrónica médica, el espacio aéreo, productos de la
comunicación, aparatos electrodomésticos, metros elegantes y otros
campos.
Con área del edificio de la fábrica más de 100.000 Sq.meters,
capacidad mensual más de 1.000 millones de pedazos, Huixin tienen
convertido de los proveedores principales en industria de los
componentes electrónicos en China.