Empalme apaciguado vidrio del microprocesador del diodo de rectificador de poder más elevado del soporte de la superficie A7
Número de modelo:A7 SOD-123FL
Lugar del origen:China
Cantidad de orden mínima:3000 PC
Condiciones de pago:T/T, Paypal, efectivo
Capacidad de la fuente:1 mil millones pedazos del mes
Plazo de expedición:2-4 semanas
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Dongguan Guangdong China
Dirección:
Parque cibernético de Tianan, camino de No.1 Huangjin, distrito de Nancheng, ciudad de Dongguan, provincia de Guangdong, China
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Detalles del producto
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Detalles del producto
Diodo de rectificador superficial de fines generales de poder más elevado del rectificador del soporte A7
El vidrio superficial del diodo de rectificador de poder más elevado del soporte A7 apaciguó a Chip Junction
Características:
- El paquete plástico lleva la clasificación 94V-0 de la inflamabilidad del laboratorio de los suscriptores
- Idea para la placa de circuito impresa
- Microprocesador apaciguado de cristal del empalme
- Salida reversa baja
- Alta capacidad delantera de la sobretensión
- El soldar de alta temperatura garantizado
- Empalme apaciguado de cristal del microprocesador
Datos mecánicos:
- Caso: Cuerpo plástico moldeado
- Terminales: La soldadura plateó, solderable por MIL-STD-750, método 2026
- Polaridad: La banda del color denota el extremo del cátodo
- Posición de montaje: Ningunos
- Peso: 0,0007 onzas, 0,02 gramos
Grados máximos y características eléctricas:
Grados en 25 temperaturas ambiente de C salvo especificación de lo contrario. La carga la monofásico 60Hz de media-onda, resistente o inductivo, para la corriente capacitiva de la carga reduce la capacidad normal por el 20%.
Parámetro
| SÍMBOLOS | A1 | A2 | A3 | A4 | A5 | A6 | A7 | UNIDADES | |
Voltaje reverso del pico repetidor máximo
| VRRM | 50 | 100 | 200 | 400 | 600 | 800 | 1000 | Voltios | |
Voltaje máximo del RMS
| VRMS | 35 | 70 | 140 | 280 | 420 | 560 | 700 | Voltios | |
Voltaje de bloqueo máximo de DC
| VDC | 50 | 100 | 200 | 400 | 600 | 800 | 1000 | Voltios | |
Corriente delantera media máxima del rectificador en TL=100°C
| SI (SISTEMAS DE PESOS AMERICANOS) | 1 | Amperios | |||||||
| Sobretensión delantera máxima, media onda sinusoidal 8.3msSingle sobrepuesta en carga clasificada |
IFSM
| 35 | Amperios | |||||||
| Voltaje delantero instantáneo máximo en 1A |
VF
| 1,1 | Voltios | |||||||
| Corriente máxima del revés de DC en el voltaje de bloqueo clasificado de DC | TA=25°C |
IR
| 5 | μA | ||||||
| TA=125°C | 500 | |||||||||
Nota: 1.Measured en 1MHz y el voltaje reverso aplicado de C.C. 4.0V
Empalme apaciguado vidrio del microprocesador del diodo de rectificador de poder más elevado del soporte de la superficie A7
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