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Transistor de poder del Mosfet 600V CoolGaN del transistor de poder del Mosfet IGT60R070D1ATMA1
Característica
• Transistor del modo del aumento – normalmente del interruptor
• Transferencia ultrarrápida
• Ninguna carga de la reverso-recuperación
• Capaz de la conducción reversa
• Carga baja de la puerta, carga baja de la salida
• Aspereza superior de la conmutación
• Calificado para los usos industriales según estándares de JEDEC (JESD47 y JESD22)
Ventajas
• Mejora eficacia de sistema
• Mejora densidad de poder
• Permite una frecuencia de funcionamiento más alta
• Ahorros de la reducción de costes de sistema
• Reduce la EMI
Categorías | Transistor de poder del Mosfet |
---|---|
IGT60R070D1ATMA1 | |
Polaridad del transistor | Canal N |
Canal no. | 1 canal |
En-resistencia de la fuente de la salida | 70 mOhms |
Configure | Escoja |
Disipación del Paladio-poder | 125 W |
Voltaje del umbral de la fuente de la th-puerta de Vgs | 0,9 V |
Modelo del canal | Aumento |
FAQ:
Q1: ¿Qué artículos del pago que podemos utilizar?
Garantía/transferencia bancaria/MoneyGram del comercio de AliBaba
Western Union/paga de Paypal/de WeChat/paga de Ali
Q2: ¿Cuál es la tarjeta de crédito Chanels?
Garantía/Paypal del comercio de AliBaba
Q3: ¿Cuándo puede usted entregar mi producto?
Por favor envíenos la copia de la remesa cuando los pagos hechos, de modo que poder arreglar las mercancías.