Serial micro del chip CI SST25VF080B 8 Mbit SPI de memoria Flash con frecuencia de reloj de alta velocidad

Número de modelo:SST25VF080B-50-4C-S2AF
Lugar del origen:Fábrica original
Cantidad de orden mínima:10pcs
Condiciones de pago:T/T, Union,PAYPAL occidental
Capacidad de la fuente:100000pcs
Plazo de expedición:1-3 días
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Shenzhen Guangdong China
Dirección: Sitio 1120, piso 11o, nueva Asia Guoli Building, distrito de Futian, ciudad de Shenzhen, provincia de Guangdong China, cremallera: 518031
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Flash serial del microchip SST25VF080B 8 Mbit SPI de IC del microprocesador de memoria Flash con frecuencia de reloj de alta velocidad

 
DESCRIPCIONES GENERALES
 

la familia de destello serial de 25 series ofrece un de cuatro cables, el interfaz de SPIcompatible que permite un paquete bajo de la perno-cuenta que ocupe menos espacio del tablero y baje en última instancia costes de sistema totales. Los dispositivos de SST25VF080B se aumentan con frecuencia de funcionamiento mejorada y el consumo de una energía más baja. Memorias Flash seriales de SST25VF080B SPI se fabrican con tecnología propietaria, de alto rendimiento del Cmos SuperFlash. El inyector que hace un túnel del diseño y del grueso-óxido de la célula de la fractura-puerta logra una mejor confiabilidad y el manufacturability comparados con acercamientos alternos.

 

Los dispositivos de SST25VF080B mejoran perceptiblemente funcionamiento y confiabilidad, mientras que bajan el consumo de energía. Los dispositivos escriben (programa o borrado) con una sola fuente de alimentación de 2.7-3.6V para SST25VF080B. La energía total consumida es una función del voltaje, de la corriente, y de la época aplicados del uso. Puesto que para cualquier gama dada del voltaje, la tecnología de SuperFlash utiliza menos actual para programar y tiene un rato más corto del borrado, la energía total consumida durante cualquier operación del borrado o del programa es menos que tecnologías de memoria Flash alternativas.

 

El dispositivo de SST25VF080B se ofrece en 8 la ventaja SOIC (200 milipulgadas), 8 el contacto WSON (6m m x 5m m), y 8 paquetes de la ventaja PDIP (300 milipulgadas). 

 
CARACTERÍSTICAS

• El solo voltaje leyó y escribe operaciones
- 2.7-3.6V

• Arquitectura de la interfaz en serie
- SPI compatible: Modo 0 y modo 3

• Frecuencia de reloj de alta velocidad
- 50/66 megaciclo de condicional

• Confiabilidad superior
- Resistencia: 100.000 ciclos (de típico)
- Mayor de 100 años de retención de los datos

• Bajo consumo de energía:
- El Active leyó la corriente: 10 mA (de típico)
- Corriente espera: µA 5 (típico)

• Capacidad flexible del borrado
- Uniforme 4 sectores del kilobyte
- Uniforme 32 bloques de la capa del kilobyte
- Uniforme 64 bloques de la capa del kilobyte

• Ayunan el borrado y el Byte-programa:
- Tiempo del Microprocesador-borrado: ms 35 (típico)
- Tiempo de Sector-/Block-Erase: ms 18 (típico)
- Tiempo del Byte-programa: 7 µs (típicos)

• Programación auto de (AAI) del incremento de la dirección
- Disminuya el tiempo programado del microprocesador total sobre operaciones del Byte-programa
 
El arsenal de la memoria de SST25VF080B SuperFlash se organiza en uniforme 4 sectores borrables del kilobyte con 32 bloques de la capa del kilobyte y 64 bloques borrables cubiertos kilobyte.
 
 

Exceso de inventario de ATFU:

SST25VF080B-50-4C-S2AF
SST25VF080B-50-4C-S2AF-T
SST25VF080B-50-4I-S2AF
SST25VF080B-50-4I-S2AF-T
SST25VF080B-50-4I-S2AE
SST25VF080B-50-4I-S2AE-T
SST25VF080B-50-4C-QAF
SST25VF080B-50-4C-QAF-T
SST25VF080B-50-4I-QAF
SST25VF080B-50-4I-QAF-T
SST25VF080B-50-4I-QAE
SST25VF080B-50-4I-QAE-T
SST25VF080B-50-4C-PAE
SST25VF080B-50-4C-PAE-T
 
 
 
 
 
 

 
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Serial micro del chip CI SST25VF080B 8 Mbit SPI de memoria Flash con frecuencia de reloj de alta velocidad

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