Transistor de KTD1047 NPN IGBT complementario a KTB817 para el amplificador de poder más elevado 60w

Número de modelo:KTD1047
Lugar del origen:Coreano
Cantidad de orden mínima:10pcs
Condiciones de pago:T/T, Union,PAYPAL occidental
Capacidad de la fuente:100000pcs
Plazo de expedición:1-3 días
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Shenzhen Guangdong China
Dirección: Sitio 1120, piso 11o, nueva Asia Guoli Building, distrito de Futian, ciudad de Shenzhen, provincia de Guangdong China, cremallera: 518031
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Detalles del producto

Transistor de KTD1047 NPN complementario a KTB817 para el uso del amplificador de poder más elevado 60w

CARACTERÍSTICO

SÍMBOLO

CLASIFICACIÓN

UNIDAD

Voltaje de la Colector-base

VCBO

160

V

Voltaje del Colector-emisor

VCEO

140

V

Voltaje de la Emisor-base

VEBO

6

V

Corriente de colector

DC

IC

12

A

Pulso

ICP

15

Disipación de poder del colector (Tc=25)

PC

100

W

Temperatura de empalme

Tj

150

 

Gama de temperaturas de almacenamiento

Tstg

-55150

 

 

Características: 

Complementario a KTB817.

Recomendado para la etapa de la salida del amplificador de la frecuencia de audio 60W.

 

Usos:

USO DEL AMPLIFICADOR DE PODER MÁS ELEVADO.

 

Serie regular de KEC en existencia:

 

Acción regular:

KTC945-P-AT/P

KTC9018S-H-RTK/P

KTA1266-GR-AT/P

KIA78L12F-RTF/P

KTD1047-Y-U/P

KRC103S-RTK/P

KTD1302-AT/P

KTA1837-U/P

KIA7815API-UPF

KTB817-Y-UP

 

 

China Transistor de KTD1047 NPN IGBT complementario a KTB817 para el amplificador de poder más elevado 60w supplier

Transistor de KTD1047 NPN IGBT complementario a KTB817 para el amplificador de poder más elevado 60w

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