Transistor sin plomo del Mosfet del canal N, transistor de alta velocidad IRF640NPBF del Mosfet de 200V 18A
Número de modelo:IRF640NPBF
Lugar del origen:Fábrica original
Cantidad de orden mínima:10pcs
Condiciones de pago:T/T, Union，PAYPAL occidental
Capacidad de la fuente:100000pcs
Plazo de expedición:1-3 días
Contacta
Add to Cart
Miembro activo
Shenzhen Guangdong China
Dirección:
Sitio 1120, piso 11o, nueva Asia Guoli Building, distrito de Futian, ciudad de Shenzhen, provincia de Guangdong China, cremallera: 518031
Proveedor Último login veces:
Dentro de 14 Horas
Detalles del producto
Perfil de la compañía
Detalles del producto
Canal N 200V 18A del transporte de la INMERSIÓN de IRF640NPBF que cambia el transistor de poder del MOSFET
Descripción
El MOSFET s del poder del ® de la quinta generación HEXFET del rectificador internacional utiliza
técnicas de proceso avanzadas para alcanzar extremadamente -
en-resistencia baja por área del silicio. Esta ventaja, combinada
con la velocidad de transferencia rápida y el diseño construido
sólidamente del dispositivo que los MOSFETs del poder de HEXFET son
bien sabido para, provee del diseñador un dispositivo
extremadamente eficiente y confiable para el uso en una amplia
variedad de usos.
El paquete TO-220 se prefiere universal para todos los usos
comercial-industriales en los niveles de la disipación de poder a
aproximadamente 50 vatios. La resistencia termal baja y el coste
bajo del paquete del TO-220 contribuyen a su aceptación amplia en
la industria.
La
D2PakesunpaquetesuperficialdelpoderdelsoportecapazdeservicialmuerelostamañoshastaHEX-4.
Proporcionalacapacidaddelpodermás altoyelposiblemás
bajoenresistenciaencualquierpaquetesuperficialexistentedelsoporte.
LaD2Pakesconvenienteparalosusosde gran intensidaddebido
asuresistenciainternabajade laconexiónypuededisiparsehasta2.0Wenunusosuperficialtípicodelsoporte.
La versión del por-agujero (IRF640NL) está disponible para el uso
discreto.
Característica
l tecnología de proceso avanzada
l grado dinámico de dv/dt
l 175°C que actúa emperature de T
l ayuna transferencia
l completamente avalancha clasificada
l facilidad de ser paralelo a
l requisitos simples de la impulsión
l sin plomo
Paquete
Transistor sin plomo del Mosfet del canal N, transistor de alta velocidad IRF640NPBF del Mosfet de 200V 18A
Carro de la investigación
0