Transistor de poder de alta frecuencia del Mosfet para las telecomunicaciones/el uso industrial IRLR7843TRPBF
Número de modelo:IRLR7843TRPBF
Lugar del origen:Fábrica original
Cantidad de orden mínima:10pcs
Condiciones de pago:T/T, Union，PAYPAL occidental
Capacidad de la fuente:100000pcs
Plazo de expedición:1-3 días
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Miembro activo
Shenzhen Guangdong China
Dirección:
Sitio 1120, piso 11o, nueva Asia Guoli Building, distrito de Futian, ciudad de Shenzhen, provincia de Guangdong China, cremallera: 518031
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Detalles del producto
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Detalles del producto
MOSFET del poder del transistor IRLR7843TRPBF TO-252 30V 161A para las telecomunicaciones y el uso industrial
IRLR7843PbF IRLU7843PbF
Descripción
Selección del MOSFET del poder para los convertidores sin aislar de DC/DC
Grados máximos absolutos
Parámetro | Máximo. | Unidades | |
VDS | Voltaje de la Dren-a-fuente | 30 | V |
VGS | Voltaje de la Puerta-a-fuente | ± 20 | |
Identificación @ TC = 25°C | Corriente continua del dren, VGS @ 10V | 161f | A |
Identificación @ TC = 100°C | Corriente continua del dren, VGS @ 10V | 113f | |
IDM | Dren pulsado c actual | 620 | |
Paladio @TC = 25°C | Disipación de poder máxima g | 140 | W |
Paladio @TC = 100°C | Disipación de poder máxima g | 71 | |
Factor que reduce la capacidad normal linear | 0,95 | W/°C | |
TJ TSTG | Gama de temperaturas de funcionamiento del empalme y de almacenamiento | -55 to+175 | °C |
Temperatura que suelda, por 10 segundos | 300 (1.6m m de caso) |
Características
l RDS muy bajo (encendido) en 4.5V VGS
l impedancia ultrabaja de la puerta
l voltaje y corriente completamente caracterizados de
avalancha
Usos
l convertidores síncronos de alta frecuencia del dólar para el
poder del procesador del ordenador
l convertidores aislados de alta frecuencia de DC-DC con la
rectificación síncrona para las telecomunicaciones y el uso
industrial
l sin plomo
Transistor de poder de alta frecuencia del Mosfet para las telecomunicaciones/el uso industrial IRLR7843TRPBF
Carro de la investigación
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