El transistor del Mosfet del canal de IRF9540NPBF P, 100V 23A ayuna transistor de transferencia
Número de modelo:IRF9540NPBF
Lugar del origen:Fábrica original
Cantidad de orden mínima:10pcs
Condiciones de pago:T/T, Union，PAYPAL occidental
Capacidad de la fuente:100000pcs
Plazo de expedición:1-3 días
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Shenzhen Guangdong China
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Sitio 1120, piso 11o, nueva Asia Guoli Building, distrito de Futian, ciudad de Shenzhen, provincia de Guangdong China, cremallera: 518031
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P canaliza alto poder del MOSFET del transistor de transferencia de IRF9540NPBF TO-220 100V 23A
Descripción
La quinta generación HEXFET s del rectificador internacional utiliza técnicas de proceso avanzadas para alcanzar extremadamente - en-resistencia baja por área del silicio. Esta ventaja, combinada con la velocidad de transferencia rápida y el diseño construido sólidamente del dispositivo que los MOSFETs del poder de HEXFET® son bien sabido para, provee del diseñador un dispositivo extremadamente eficiente y confiable para el uso en una amplia variedad de usos.
Diseñan al D-Pak para el montaje superficial usando fase de vapor, infrarrojo, o técnicas que sueldan de la onda. La versión recta de la ventaja (serie de IRFU) está para los usos del montaje del por-agujero. Los niveles de la disipación de poder hasta 1,5 vatios son posibles en usos superficiales típicos del soporte.
El transistor del Mosfet del canal de IRF9540NPBF P, 100V 23A ayuna transistor de transferencia
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