Voltaje actual 55V del transistor de poder del Mosfet 31A IRFR5305TRPBF para el general del circuito de poder
Número de modelo:IRFR5305TRPBF
Lugar del origen:Fábrica original
Cantidad de orden mínima:10pcs
Condiciones de pago:T/T, Union，PAYPAL occidental
Capacidad de la fuente:100000pcs
Plazo de expedición:1-3 días
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Shenzhen Guangdong China
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Sitio 1120, piso 11o, nueva Asia Guoli Building, distrito de Futian, ciudad de Shenzhen, provincia de Guangdong China, cremallera: 518031
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MOSFET del poder del transistor TO252 55V 31A de IRFR5305TRPBF para el general del circuito de poder
IRFR5305PbF
IRFU5305PbF
Descripción
La quinta generación HEXFET s del rectificador internacional utiliza técnicas de proceso avanzadas para alcanzar extremadamente - en-resistencia baja por área del silicio. Esta ventaja, combinada con la velocidad de transferencia rápida y el diseño construido sólidamente del dispositivo que los MOSFETs del poder de HEXFET® son bien sabido para, provee del diseñador un dispositivo extremadamente eficiente y confiable para el uso en una amplia variedad de usos.
Diseñan al D-Pak para el montaje superficial usando fase de vapor, infrarrojo, o técnicas que sueldan de la onda. La versión recta de la ventaja (serie de IRFU) está para los usos del montaje del por-agujero. Los niveles de la disipación de poder hasta 1,5 vatios son posibles en usos superficiales típicos del soporte.
Grados máximos absolutos
Parámetro | Máximo. | Unidades | |
Identificación @ TC =°C 25 | Corriente continua del dren, VGS @ -10V | -31 | A |
Identificación @ TC =°C 100 | Corriente continua del dren, VGS @ -10V | -22 | |
IDM | Corriente pulsada del dren |
Voltaje actual 55V del transistor de poder del Mosfet 31A IRFR5305TRPBF para el general del circuito de poder
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