880nM 2 transistor de los PERNOS 3DU5C IGBT, fototransistor del silicio de NPN con el metal encapsulado

880nM 2 fototransistor del silicio de los PERNOS 3DU5C NPN con el metal encapsulado

Características: 

fototransistor del silicio del  NPN;

modelo del : 3DU5C
voltaje de funcionamiento del  (máximo): 10V;
voltaje de avería reverso del : 15V;
corriente oscura del : 0.3uA
 Photocurrent: 0.5-1mA;
consumo de energía del : 30mW;
longitud de onda máxima del : 880nM
tamaño de cuerpo del : 7 x 5mm/0,28" x 0,2" (L*D);
longitud total del : 28mm/1,1";
material externo del : Metal

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