FM24CL04B-GTR 4 - memoria no volátil de Kbit, interfaz rápido de memoria Flash serial I2C de FRAM
Número de modelo:FM24CL04B
Lugar del origen:Fábrica original
Cantidad de orden mínima:10pcs
Condiciones de pago:T/T, Union，PAYPAL occidental
Capacidad de la fuente:100000pcs
Plazo de expedición:1-3 días
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Miembro activo
Shenzhen Guangdong China
Dirección:
Sitio 1120, piso 11o, nueva Asia Guoli Building, distrito de Futian, ciudad de Shenzhen, provincia de Guangdong China, cremallera: 518031
Proveedor Último login veces:
Dentro de 14 Horas
Detalles del producto
Perfil de la compañía
Detalles del producto
El microprocesador de memoria Flash de FM24CL04B-GTR 4Kbit ayuna flash serial de dos hilos de la interfaz en serie FRAM
Descripción
El FM24CL04B es una memoria permanente 4-Kbit que emplea un proceso
ferroeléctrico avanzado. Una memoria de acceso aleatorio o un F-RAM
ferroeléctrica es permanente y se realiza lee y escribe similar a
RAM. Proporciona la retención confiable de los datos durante 151
años mientras que elimina las complejidades, los gastos indirectos,
y los problemas a nivel sistema de la confiabilidad causados por
EEPROM y otras memorias permanentes. A diferencia de EEPROM, el
FM24CL04B se realiza escribe operaciones a la velocidad del
autobús. Ningún escriba los retrasos se contraen. Los datos se
escriben al arsenal de la memoria inmediatamente después que cada
byte se transfiere con éxito al dispositivo. El ciclo siguiente del
autobús puede comenzar sin la necesidad de la interrogación de los
datos. Además, el producto ofrece substancial escribe la
resistencia comparada con otras memorias permanentes. También,
F-RAM exhibe un poder mucho más bajo durante escribe que EEPROM
puesto que escriba las operaciones no requieren un voltaje de
fuente de alimentación internamente elevado para escriben los
circuitos. El FM24CL04B es capaz de apoyar 1014 ciclos de
lectura/grabación, o escribe 100 millones de veces más ciclos que
EEPROM. Estas capacidades hacen el ideal para los usos de la
memoria permanente, el requerir de FM24CL04B frecuente o rápido
escribe. Los ejemplos se extienden de la registración de datos, de
donde el número escribe ciclos puede ser crítico, a exigir los
controles industriales donde el largos escriben la época de EEPROM
pueden causar pérdida de datos. La combinación de características
permite una escritura más frecuente de los datos con menos gastos
indirectos para el sistema. El FM24CL04B proporciona ventajas
sustanciales a los usuarios (I2C) de EEPROM serial como reemplazo
de la reunión informal del hardware. Las especificaciones de
dispositivo se garantizan sobre una gama de temperaturas industrial
de – 40 C a +85 C.
Características
memoria de acceso aleatorio ferroeléctrica del ■ 4-Kbit (F-RAM) lógicamente
organizado como 512 × 8
la Alto-resistencia 100 trillón del ❐ (1014) leído/escribe
❐ retención de 151 datos del año (véase la retención y la resistencia de los datos
en la página 10)
El ❐ NoDelay™ escribe
Proceso ferroeléctrico de la alto-confiabilidad avanzada del ❐
Interfaz en serie de dos hilos rápida del ■ (I2C)
❐ hasta la frecuencia 1-MHz
Reemplazo directo del hardware del ❐ para (I2C) EEPROM serial
El ❐ apoya las sincronizaciones de la herencia para 100 kilociclos y 400 kilociclos
Bajo consumo de energía del ■
corriente activa del A del ❐ 100 en 100 kilociclos
corriente espera del A (tipo) del ❐ 3
Operación del voltaje del ■: VDD = 2,7 V a 3,65 V
Temperatura industrial del ■: – 40 C a +85 C
paquete de (SOIC) del circuito integrado del esquema del perno del ■ 8 pequeño
Restricción del ■ de las sustancias peligrosas (RoHS) obediente
memoria de acceso aleatorio ferroeléctrica del ■ 4-Kbit (F-RAM) lógicamente
organizado como 512 × 8
la Alto-resistencia 100 trillón del ❐ (1014) leído/escribe
❐ retención de 151 datos del año (véase la retención y la resistencia de los datos
en la página 10)
El ❐ NoDelay™ escribe
Proceso ferroeléctrico de la alto-confiabilidad avanzada del ❐
Interfaz en serie de dos hilos rápida del ■ (I2C)
❐ hasta la frecuencia 1-MHz
Reemplazo directo del hardware del ❐ para (I2C) EEPROM serial
El ❐ apoya las sincronizaciones de la herencia para 100 kilociclos y 400 kilociclos
Bajo consumo de energía del ■
corriente activa del A del ❐ 100 en 100 kilociclos
corriente espera del A (tipo) del ❐ 3
Operación del voltaje del ■: VDD = 2,7 V a 3,65 V
Temperatura industrial del ■: – 40 C a +85 C
paquete de (SOIC) del circuito integrado del esquema del perno del ■ 8 pequeño
Restricción del ■ de las sustancias peligrosas (RoHS) obediente
Usos
Industrial, comunicaciones y establecimiento de una red
FM24CL04B-GTR 4 - memoria no volátil de Kbit, interfaz rápido de memoria Flash serial I2C de FRAM
Carro de la investigación
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