Alto diodo de barrera de la confiabilidad 1A Schottky 1N5817 1N5818 1N5819
Número de modelo:1N5817 1N5818 1N5819
Lugar del origen:China
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paquete del diodo de rectificador de la barrera de 1.0Amp Schottky 1N5817 1N5818 1N5819 DO-41
CARACTERÍSTICAS
* caída de voltaje delantera baja
* capacidad de gran intensidad
* alta confiabilidad
* alta capacidad de la sobretensión
* construcción epitaxial
DATOS MECÁNICOS
* caso: Plástico moldeado
* epóxido: Tarifa de la UL 94V-0 ignífuga
* ventaja: Conductores axiales, solderable por MIL-STD-202,
el método 208 garantizó
* polaridad: La banda del color denota el extremo del cátodo
* posición de montaje: Ningunos
* peso: 0,34 gramos
GRADOS MÁXIMOS Y CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Los otherwies de los uniess de la temperatura ambiente del grado 25 C especificaron.
Carga de la media onda, de 60Hz, resistente o inductiva la monofásico.
Para la carga capacitiva, reduzca la capacidad normal de actual por el 20%.
| TIPO NÚMERO | 1N5817 | 1N5818 | 1N5819 | UNIDADES |
| Voltaje reverso del pico periódico máximo | 20 | 30 | 40 | V |
| Voltaje máximo del RMS | 14 | 21 | 28 | V |
| Voltaje de bloqueo máximo de DC | 20 | 30 | 40 | V |
Actual rectificada delantero medio máximo .375" longitud de la ventaja (de 9.5m m) en Ta=90 C | 1,0 | |||
Sobretensión delantera máxima, sola media onda sinusoidal de 8,3 ms sobrepuesto en la carga clasificada (método de JEDEC) | 25 | |||
| Voltaje delantero instantáneo máximo en 1.0A | 0,45 | 0,55 | 0,60 | |
| Revés máximo Ta=25 actual C de DC | 1,0 | mA | ||
| en el voltaje de bloqueo clasificado de DC Ta=100 C | 10 | mA | ||
| Capacitancia de empalme típica (Note1) | 110 | PF | ||
| Resistencia termal típica Rq JA (nota 2) | 80 | C/W | ||
| Gama de temperaturas T J de funcionamiento | -65 +125 | C | ||
| Gama de temperaturas T STG de almacenamiento | -65 +125 | C | ||
Tamaño:
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Alto diodo de barrera de la confiabilidad 1A Schottky 1N5817 1N5818 1N5819
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