4ns ayunan 1n4150 el diodo, diodo de señal de transferencia con alta confiabilidad

Número de modelo:1N4150

Lugar del origen:China

Cantidad de orden mínima:5000pcs

Condiciones de pago:T / T, Western Union

Capacidad de la fuente:100000pcs por 1 semana

Plazo de expedición:5 - 8 días del trabajo

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Electrónica Co., Ltd. de Wuxi Xuyang

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Dirección: No.149, camino de Zhongxin, ciudad de Gaocheng, ciudad de Yixing, Jiangsu, China

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diodo de transferencia de alta velocidad 1N4150 1N4150 50V 200MA con el paquete DO-35

Características

1. Alta confiabilidad
2. alta capacidad actual delantera

Usos

Interruptor de alta velocidad y uso de fines generales en ordenador y usos industriales

Construcción

Planar epitaxial del silicio

Datos mecánicos

Caso: DO-35, MiniMELF

Terminales: Ventajas plateadas Solderable por MIL-STD-202, método 208

Polaridad: Banda del cátodo

Peso: DO-35 0,13 gramos de MiniMELF 0,05 gramos

Marca: Banda del cátodo solamente

Grados máximos absolutos

TJ = 25°C

Parámetro	Condiciones de prueba	Símbolo	Valor	Unidad
Voltaje reverso máximo repetidor		VRRM	50	V
Voltaje reverso		VR	40	V
Sobretensión delantera máxima	tp≦1 s	IFSM	4
Corriente delantera		SI	600	mA
Corriente delantera media	VR =0	IFAV	300	mA
Disipación de poder		Picovoltio	500	mW
Temperatura de empalme		Tj	175	℃
Gama de temperaturas de almacenamiento		Tstg	-65~+125	℃

Resistencia termal máxima

TJ = 25°C

Parámetro	Condiciones de prueba	Símbolo	Valor	Unidad
Empalme ambiente	en el tablero de PC 50mm×50mm×1.6m m	RthJA	500	K/W

Características eléctricas

TJ = 25°C

Parámetro	Condición de prueba	Símbolo	Minuto	Tipo	Máximo	Unidad
Voltaje delantero	SI = 1mA	VF	0,54		0,62	V
	SI = 10mA	VF	0,66		0,74	V
	SI = 50mA	VF	0,76		0,86	V
	SI = 100mA	VF	0,82		0,92	V
	SI = 200mA	VF	0,87		1,0	V
Corriente reversa	VR = 20V	IR			100	nA
Corriente reversa	VR = 50V, TJ = 150°C	IR			100	μA
Capacitancia del diodo	VR = 0, f=1MHz, VHF-50mV	CD			2,5	PF
Tiempo de recuperación reversa	SI = IR = 10… 100mA, IR = 1mA, RL = 100Ω	trr			4	ns