Diodos de transferencia rápidos de la pequeña señal de fines generales 1N4448 con el caso DO-35

Número de modelo:1N4448
Lugar del origen:China
Cantidad de orden mínima:5000pcs
Condiciones de pago:T / T, Western Union
Capacidad de la fuente:100000pcs por 1 semana
Plazo de expedición:5 - 8 días del trabajo
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Dirección: No.149, camino de Zhongxin, ciudad de Gaocheng, ciudad de Yixing, Jiangsu, China
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Detalles del producto

diodo de alta velocidad del diodo de transferencia 1N4448 pequeño solo con el caso DO-35

 

 

Características

 

• Diodo planar epitaxial del silicio

• Diodo que cambia rápido.

• Este diodo está también disponible en otros estilos del caso incluyendo el caso SOD-123 con el tipo

designación 1N4448W, el caso de MiniMELF con el tipo designación LL4148, el SOT-23

caso con el tipo designación IMBD4148.

.

Datos mecánicos

Caso: Caja de vidrio DO-35

Peso: aproximadamente 0.13g

 

Grados máximos y características termales (TA = 25°C a menos que se indicare en forma diferente)

ParámetroSímboloLímiteUnidad
Voltaje reversoVR75V
Voltaje reverso máximoVRM100V

Corriente rectificada media

Rectificación de media-onda con la carga resistente en Tamb = 25°C

SI (SISTEMAS DE PESOS AMERICANOS)150mA
Corriente delantera de la oleada en t < 1s y Tj = 25°CIFSM500mA
Disipación de poder en Tamb = 25°CPtot500mW
Empalme de la resistencia termal al aire ambienteRθJA350°C/W
Temperatura de empalmeTj175°C
Temperatura de almacenamientoTS– 65 a +175°C

 

Características eléctricas (TJ = 25°C a menos que se indicare en forma diferente)

ParámetroSímboloCondición de pruebaMinutoTipoMáximoUnidad
Voltaje delanteroVF

SI = 5mA

SI = 100mA

0,62

0,70

1,0

V
Salida actualIR

VR = 20V

VR = 75V

VR = 20V, TJ = 150°C

25

5

50

nA

μA

μA

Voltaje de avería reversoV (BR) RIR = 100ìA (pulsados)100V
CapacitanciaCtotVF = VR = 0V4PF
Tiempo de recuperación reversatrr

SI = 10mA, IR = 1mA,

VR = 6V, RL = 100Ù

4ns
Eficacia de rectificaciónnanovoltiof = 100MHz, VRF = 2V0,45

 

Dibujo:

 

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