Diodos de transferencia rápidos de la pequeña señal de fines generales 1N4448 con el caso DO-35
Número de modelo:1N4448
Lugar del origen:China
Cantidad de orden mínima:5000pcs
Condiciones de pago:T / T, Western Union
Capacidad de la fuente:100000pcs por 1 semana
Plazo de expedición:5 - 8 días del trabajo
Contacta
Add to Cart
Evaluación de proveedor
Dirección:
No.149, camino de Zhongxin, ciudad de Gaocheng, ciudad de Yixing, Jiangsu, China
Proveedor Último login veces:
Dentro de 48 Horas
Detalles del producto
Perfil de la compañía
Detalles del producto
diodo de alta velocidad del diodo de transferencia 1N4448 pequeño solo con el caso DO-35
Características
• Diodo planar epitaxial del silicio
• Diodo que cambia rápido.
• Este diodo está también disponible en otros estilos del caso incluyendo el caso SOD-123 con el tipo
designación 1N4448W, el caso de MiniMELF con el tipo designación LL4148, el SOT-23
caso con el tipo designación IMBD4148.
.
Datos mecánicos
Caso: Caja de vidrio DO-35
Peso: aproximadamente 0.13g
Grados máximos y características termales (TA = 25°C a menos que se indicare en forma diferente)
| Parámetro | Símbolo | Límite | Unidad |
| Voltaje reverso | VR | 75 | V |
| Voltaje reverso máximo | VRM | 100 | V |
Corriente rectificada media Rectificación de media-onda con la carga resistente en Tamb = 25°C | SI (SISTEMAS DE PESOS AMERICANOS) | 150 | mA |
| Corriente delantera de la oleada en t < 1s y Tj = 25°C | IFSM | 500 | mA |
| Disipación de poder en Tamb = 25°C | Ptot | 500 | mW |
| Empalme de la resistencia termal al aire ambiente | RθJA | 350 | °C/W |
| Temperatura de empalme | Tj | 175 | °C |
| Temperatura de almacenamiento | TS | – 65 a +175 | °C |
Características eléctricas (TJ = 25°C a menos que se indicare en forma diferente)
| Parámetro | Símbolo | Condición de prueba | Minuto | Tipo | Máximo | Unidad |
| Voltaje delantero | VF | SI = 5mA SI = 100mA | 0,62 — | — — | 0,70 1,0 | V |
| Salida actual | IR | VR = 20V VR = 75V VR = 20V, TJ = 150°C | — — — | — — — | 25 5 50 | nA μA μA |
| Voltaje de avería reverso | V (BR) R | IR = 100ìA (pulsados) | 100 | — | — | V |
| Capacitancia | Ctot | VF = VR = 0V | — | — | 4 | PF |
| Tiempo de recuperación reversa | trr | SI = 10mA, IR = 1mA, VR = 6V, RL = 100Ù | — | — | 4 | ns |
| Eficacia de rectificación | nanovoltio | f = 100MHz, VRF = 2V | 0,45 | — | — | — |
Dibujo:
nuestro servicio:
La condición común es siempre puesta al día, agradable entrarnos en contacto con para más detalles.
Prometemos citar solamente productos con la condición real del 100%, nunca vendemos restaurado o copia como original.
Nuestro objeto es hacer la cooperación a largo plazo.
Elíjanos, usted nos encontrará profesionales, siempre confiables y fáciles hacer negocio.
Compañía aquí con confianza, proveemos de usted servicio post-venta excelente, usted nunca lamentaremos
elegirnos.
Diodos de transferencia rápidos de la pequeña señal de fines generales 1N4448 con el caso DO-35
Carro de la investigación
0