Diodo de transferencia de alta velocidad del caso de cristal 1N914 con alta conductancia
Número de modelo:1N914
Lugar del origen:China
Cantidad de orden mínima:5000pcs
Condiciones de pago:T / T, Western Union
Capacidad de la fuente:100000pcs por 1 semana
Plazo de expedición:5 - 8 días del trabajo
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Dirección:
No.149, camino de Zhongxin, ciudad de Gaocheng, ciudad de Yixing, Jiangsu, China
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Detalles del producto
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Detalles del producto
Diodo que cambia de alta velocidad 1N914 con el diodo de transferencia rápido del caso DO-35
Características
Velocidad que cambia rápida
Alta confiabilidad
Alta conductancia
Para el uso que cambia de fines generales
.
Datos mecánicos
Caso: Caja de vidrio DO-35
Therminals: solderable por MIL-STD-202, método 208 garantizó
Marca: Tipo número
Peso: aproximadamente 0.13g
Grados máximos y características termales (TA = 25°C a menos que se indicare en forma diferente)
Grados máximos (TA = 25°C a menos que se indicare en forma diferente)
| characterisic | Símbolo | Límite | Unidad |
| Voltaje reverso máximo sin repetición | VRM | 100 | V |
Voltaje reverso repetidor máximo Voltaje reverso máximo de trabajo Voltaje de bloqueo de DC | VRRM VRWM VR | 75 | V |
| Voltaje reverso del RMS | VR (RMS) | 53 | V |
Corriente continua de Forwar (Nota 1) | IFM | 150 | mA |
Corriente de salida rectificada media (Nota 1) | Io | 75 | mA |
Sobretensión delantera máxima sin repetición @ t = 1s @ t = 1us | IFSM | 1,0 1,0 | |
Disipación de poder (nota 1) Reduzca la capacidad normal sobre 25°C | Paladio | 500 | mW mW/°C |
| Empalme de la resistencia termal al aire ambiente (nota 1) | RthJA | 300 | K/W |
| Gama de temperaturas del empalme y de almacenamiento | Tj, TSTG | – 65 a +175 | °C |
Características eléctricas (TJ = 25°C a menos que se indicare en forma diferente)
| Parámetro | Símbolo | Condición de prueba | Minuto | Máximo | Unidad |
| Voltaje delantero máximo | VFM | SI = 10mA | — | 1,0 | V |
| Corriente reversa máxima máxima | IRM | VR = 75V VR = 20V, TJ = 150°C VR = 20V
| — | 5,0 50 25 | μA μA nA
|
| Capacitancia | Cj | VR = 0V, f =1.0 megaciclo | — | 4 | PF |
| Tiempo de recuperación reversa | trr | SI = 10mA, IR = 1mA, VR = 6V, RL = 100Ω | — | 4 | ns |
Nota: 1. Válido a condición de que lleve se guardan en la temperatura ambiente en una distancia de 8.0m m.
nuestro servicio:
La condición común es siempre puesta al día, agradable entrarnos en contacto con para más detalles.
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Diodo de transferencia de alta velocidad del caso de cristal 1N914 con alta conductancia
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