Diodo HS3M de la eficacia alta de SMD 3A 1000V usado para los circuitos integrados

Número de modelo:HS3M
Lugar del origen:China
Cantidad de orden mínima:3000pcs
Condiciones de pago:T / T, Western Union, PayPal
Capacidad de la fuente:500000pcs/mes
Plazo de expedición:5 - 8 días del trabajo
Contacta

Add to Cart

Evaluación de proveedor
Dirección: No.149, camino de Zhongxin, ciudad de Gaocheng, ciudad de Yixing, Jiangsu, China
Proveedor Último login veces: Dentro de 48 Horas
Detalles del producto Perfil de la compañía
Detalles del producto

Diodo de rectificador de la eficacia alta de SMD HS3M Used Integrated Circuits

 

CARACTERÍSTICAS

 

Microprocesador apaciguado de cristal del empalme.
Para el uso montado superficial
Caída de voltaje delantera baja
Paquete del perfil bajo
Alivio incorporado de la mancha, ideal para la colocación automática
Transferencia rápida para la eficacia alta
El soldar de alta temperatura: segundos 260℃/10 en los terminales
El material plástico usado lleva la clasificación 94V-O del laboratorio de los suscriptores

 

DATOS MECÁNICOS

 

Casos: Plástico moldeado
Terminales: Soldadura plateada
Polaridad: Indicado por la banda del cátodo
Embalaje: cinta de 12m m por E1A STD RS-481
Peso: 0,21 gramos

 

GRADOS MÁXIMOS Y CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

 

Los otherwies de los uniess de la temperatura ambiente del grado 25 C especificaron.
Carga de la media onda, de 60Hz, resistente o inductiva la monofásico.
Para la carga capacitiva, reduzca la capacidad normal de actual por el 20%.

TIPO NÚMEROHS3AHS3BHS3DHS3FHS3GHS3JHS3KHS3MUnidad
Voltaje reverso del pico periódico máximo501002003004006008001000V
Voltaje máximo del RMS3570140210280420580700V
Voltaje de bloqueo máximo de DC501002003004006008001000V

Actual rectificada delantero medio máximo

.375" longitud de la ventaja (de 9.5m m) en Ta=55℃

3,0
Sobretensión delantera máxima, sola media onda sinusoidal de 8,3 ms sobrepuesta en la carga clasificada (método de JEDEC)150
Voltaje delantero instantáneo máximo en 3.0A1,01,31,7V

Revés máximo Ta=25℃ actual de DC

en el voltaje de bloqueo clasificado de DC Ta=100℃

10,0

 

200

μA

 

μA

Tiempo de recuperación reversa máximo (nota 1)5075nS
Capacitancia de empalme típica (nota 2)8050PF
Gama de temperaturas TJ de funcionamiento-55 +150
Gama de temperaturas TSTG de almacenamiento-55 +150


NOTAS:
1. condición de prueba del tiempo de recuperación reversa: IF=0.5A, IR=1.0A, IRR=0.25A
2. medido en 1MHz y el voltaje reverso aplicado de C.C. 4.0V

3. Montado en el PWB con 0,6"” (16 x 16 milímetros) áreas de cobre del cojín x0.6.

 

Dibujo:

 

La mejor garantía de calidad:

1. Original y nuevo solamente
2. La mayoría del precio competitivo y del mejor servicio
3. fuente de muestra y entrega rápida

4. Garantía de la calidad 90 días (ninguna artículos usada no se pueden devolver o substituir).

5. Tenemos la acción, agradable para recoger la muestra para la prueba.

 

Formas de pago:

· T/T

· Western Union

· Paypal

· el otro término del pago como usted tiene gusto.

 

Manera de envío:

Envío internacional apresurado (FEDEX, DHL, UPS, TNT) costó normalmente 4-6 días

 

China Diodo HS3M de la eficacia alta de SMD 3A 1000V usado para los circuitos integrados supplier

Diodo HS3M de la eficacia alta de SMD 3A 1000V usado para los circuitos integrados

Carro de la investigación 0