Diodo de rectificador auténtico de silicio 1.5A 1000V con eficacia alta
Número de modelo:HER158
Lugar del origen:China
Cantidad de orden mínima:3000pcs
Condiciones de pago:T / T, Western Union, PayPal
Capacidad de la fuente:500000pcs/mes
Plazo de expedición:5 - 8 días del trabajo
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No.149, camino de Zhongxin, ciudad de Gaocheng, ciudad de Yixing, Jiangsu, China
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Diodo de rectificador controlado de la eficacia alta del silicio auténtico HER158 en el paquete DO-15 con la corriente 1.5A
CARACTERÍSTICAS
· El paquete plástico tiene clasificación 94V-0 de la inflamabilidad del laboratorio de los suscriptores
· Caída de voltaje delantera baja
· Capacidad de gran intensidad, alta confiabilidad
· Pérdida de la energía baja, eficacia alta
· Alta capacidad de la sobretensión
· Transferencia de alta velocidad, salida baja
· El soldar de alta temperatura garantizó: 260 segundos ℃/10 en los terminales
· Componente del acuerdo a RoHS 2015/863/EU
DATOS MECÁNICOS
. Caso: JEDEC DO-15. plástico moldeado
. Terminales: Conductores axiales. Solderable por MIL-STD-750. Método 2026
. Polaridad: La banda del color denota el cátodo
. Peso: 0,014 onzas. 0,39 gramos
. Posición de montaje: Ningunos
GRADOS MÁXIMOS Y CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Los otherwies de los uniess de la temperatura ambiente del grado 25
C especificaron.
Carga de la media onda, de 60Hz, resistente o inductiva la
monofásico.
Para la carga capacitiva, reduzca la capacidad normal de actual por
el 20%.
| TIPO NÚMERO | SU 151 | SU 152 | SU 153 | SU 154 | SU 155 | SU 156 | SU 157 | SU 158 | Unidad |
| Voltaje reverso del pico periódico máximo | 50 | 100 | 200 | 300 | 400 | 600 | 800 | 1000 | V |
| Voltaje máximo del RMS | 35 | 70 | 140 | 210 | 280 | 420 | 580 | 700 | V |
| Voltaje de bloqueo máximo de DC | 50 | 100 | 200 | 300 | 400 | 600 | 800 | 1000 | V |
Actual rectificada delantero medio máximo .375" longitud de la ventaja (de 9.5m m) en Ta=55℃ | 1,5 | ||||||||
| Sobretensión delantera máxima, sola media onda sinusoidal de 8,3 ms sobrepuesta en la carga clasificada (método de JEDEC) | 50 | ||||||||
| Voltaje delantero instantáneo máximo en 5.0A | 1,0 | 1,3 | 1,7 | V | |||||
Revés máximo Ta=25℃ actual de DC en el voltaje de bloqueo clasificado de DC Ta=100℃ | 5,0
100 | μA
μA | |||||||
| Tiempo de recuperación reversa máximo (nota 1) | 50 | 75 | nS | ||||||
| Capacitancia de empalme típica (nota 2) | 50 | 30 | PF | ||||||
| Gama de temperaturas TJ de funcionamiento | -65 +125 | ℃ | |||||||
| Gama de temperaturas TSTG de almacenamiento | -65 +150 | ℃ | |||||||
NOTAS:
1. condición de prueba del tiempo de recuperación reversa: IF=0.5A,
IR=1.0A, IRR=0.25A
2. medido en 1MHz y el voltaje reverso aplicado de C.C. 4.0V
Dibujo:
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Diodo de rectificador auténtico de silicio 1.5A 1000V con eficacia alta
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