Diodo de rectificador superficial de la eficacia alta del soporte HS1A-HS1M para la fuente de alimentación que cambia
Número de modelo:HS1A - HS1M
Lugar del origen:China
Cantidad de orden mínima:5000pcs
Condiciones de pago:T / T, Western Union, PayPal
Capacidad de la fuente:500000pcs/mes
Plazo de expedición:5 - 8 días del trabajo
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Dirección:
No.149, camino de Zhongxin, ciudad de Gaocheng, ciudad de Yixing, Jiangsu, China
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Detalles del producto
Diodo de rectificador superficial de la eficacia alta del soporte HS1A a través del paquete de HS1M With SMA
El producto se utiliza para cambiar la fuente de alimentación, aparatos electrodomésticos, tales como leche de soja
aparatos eléctricos de la máquina.
Como fabricante especializado de diodos, somos totalmente equipados con la producción automática
líneas incluyendo la maquinaria de la asamblea, de la soldadura, de la prueba y el embalar. Nuestros materiales críticos son
importado de los E.E.U.U. y del Japón para asegurar de calidad superior, así que nuestros productos venda bien adentro por todo el mundo
mercados.
Los productos se dividen en bulto y trenza.
CARACTERÍSTICAS
Microprocesador apaciguado de cristal del empalme.
Para el uso montado superficial
Caída de voltaje delantera baja
Paquete del perfil bajo
Alivio incorporado de la mancha, ideal para la colocación
automática
Transferencia rápida para la eficacia alta
El soldar de alta temperatura: segundos 260℃/10 en los terminales
El material plástico usado lleva la clasificación 94V-O del
laboratorio de los suscriptores
DATOS MECÁNICOS
Casos: Plástico moldeado
Terminales: Soldadura plateada
Polaridad: Indicado por la banda del cátodo
Embalaje: cinta de 12m m por E1A STD RS-481
Peso: 0,093 gramos
GRADOS MÁXIMOS Y CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Los otherwies de los uniess de la temperatura ambiente del grado 25
C especificaron.
Carga de la media onda, de 60Hz, resistente o inductiva la
monofásico.
Para la carga capacitiva, reduzca la capacidad normal de actual por
el 20%.
| TIPO NÚMERO | HS1A | HS1B | HS1D | HS1F | HS1G | HS1J | HS1K | HS1M | Unidad |
| Voltaje reverso del pico periódico máximo | 50 | 100 | 200 | 300 | 400 | 600 | 800 | 1000 | V |
| Voltaje máximo del RMS | 35 | 70 | 140 | 210 | 280 | 420 | 580 | 700 | V |
| Voltaje de bloqueo máximo de DC | 50 | 100 | 200 | 300 | 400 | 600 | 800 | 1000 | V |
Actual rectificada delantero medio máximo .375" longitud de la ventaja (de 9.5m m) en Ta=55℃ | 1,0 | ||||||||
| Sobretensión delantera máxima, sola media onda sinusoidal de 8,3 ms sobrepuesta en la carga clasificada (método de JEDEC) | 30 | ||||||||
| Voltaje delantero instantáneo máximo en 1.0A | 1,0 | 1,3 | 1,85 | V | |||||
Revés máximo Ta=25℃ actual de DC en el voltaje de bloqueo clasificado de DC Ta=100℃ | 5,0
100 | μA
μA | |||||||
| Tiempo de recuperación reversa máximo (nota 1) | 50 | 75 | nS | ||||||
| Capacitancia de empalme típica (nota 2) | 20 | 15 | PF | ||||||
| Gama de temperaturas TJ de funcionamiento | -55 +150 | ℃ | |||||||
| Gama de temperaturas TSTG de almacenamiento | -55 +150 | ℃ | |||||||
NOTAS:
1. condición de prueba del tiempo de recuperación reversa: IF=0.5A,
IR=1.0A, IRR=0.25A
2. medido en 1MHz y el voltaje reverso aplicado de C.C. 4.0V
3. Montado en el PWB con 0,4"” (10 x 10 milímetros) áreas de cobre del cojín x0.4.
Dibujo:
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Diodo de rectificador superficial de la eficacia alta del soporte HS1A-HS1M para la fuente de alimentación que cambia
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