Diodo bidireccional del disparador del DIAC DB3 del silicio con alta capacidad de oleada delantera

Número de modelo:DB3
Lugar del origen:China
Cantidad de orden mínima:5000pcs
Condiciones de pago:T / T, Western Union
Capacidad de la fuente:100000pcs por 1 semana
Plazo de expedición:5 - 8 días del trabajo
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Dirección: No.149, camino de Zhongxin, ciudad de Gaocheng, ciudad de Yixing, Jiangsu, China
Proveedor Último login veces: Dentro de 48 Horas
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Detalles del producto

Diodo bidireccional DB3 SMA del disparador del DIAC del silicio con el paquete superficial del soporte

 

Características

1. Salida reversa baja

2. Alta capacidad de oleada delantera

3. El soldar de alta temperatura garantizó: 250℃/10 segundos, 0,375" longitud de la ventaja (de 9.5m m)

 

 

Datos mecánicos

·Terminales: Conductores axiales plateados
·Polaridad: La banda del color denota el extremo del cátodo
·Posición de montaje: Ningunos

 

 

Grados máximos absolutos

SímbolosParámetroValorUnidad
DB3
PC

Disipación de poder en impreso

Circuito [L=10mm]

TA=50℃150mW
ITRM

En-estado máximo repetidor

Actual

tp=10us

F=100Hz

2,0
TSTG/TJAlmacenamiento y 0 temperaturas de empalme perating-40 a +125/-40 a 110

 

Características eléctricas

ParámetroSímboloCondiciones de pruebaValorUnidad
Voltaje de continuaciónVBO MÍNIMO.28V
TIPO.32
MÁXIMO.36
Simetría del voltaje de continuación|VBO1-VBO2|C=22nF **MÁXIMO.±3V
Voltage* dinámico de la continuación△VVBO y VF en 10mAMÍNIMO.5V
Voltage* de la salidaVovea el diagrama 2 (R=20Ω)MÍNIMO.5V
Current* de la continuaciónIBOC=22nF **MÁXIMO.100μA
Time* de la subidatr MÁXIMO.1,5μs
Current* de la salidaIRVR=0.5VBO máximoMÁXIMO.10μA

Notas: características 1.Electrical aplicables en direcciones delanteras y contrarias.
2.Connected paralelamente a los dispositivos.

 

Tamaño:

 

 

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