Transistores 1200V DC-1 kilociclo (STD) IGBT AUTO DISCRETO de AUIRG4PH50S Infineon IGBT

Number modelo:AUIRG4PH50S

Lugar del origen:Taiwán

Cantidad de orden mínima:10pcs

Condiciones de pago:T/T, Western Union

Capacidad de la fuente:10000pcs/week

Plazo de expedición:2-3days

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Shenzhen Hongxinwei Technology Co., Ltd

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Shenzhen Guangdong China

Dirección: 3418, Duhuixuan, avenida de Shennan, distrito de Futian, Shenzhen, provincia de Guangdong, China

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Transistores 1200V DC-1 kilociclo (STD) IGBT AUTO DISCRETO de AUIRG4PH50S Infineon IGBT

1.FEATURES

Estándar: Optimizado para la saturación mínima
voltaje y frecuencias de funcionamiento bajas (< 1kHz=""> • El diseño de la generación 4 IGBT proporciona más apretado
distribución del parámetro y una eficacia más alta
• Paquete del estándar industrial TO-247AC
• Sin plomo
• Automotriz calificado *

2.BENEFITS

La eficacia más alta de la oferta de la generación 4 IGBT disponible

IGBT optimizados para las condiciones especificadas del uso