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1.Características
100 % probado contra avalanchas
Baja capacitancia de entrada y carga de puerta
Resistencia de entrada de puerta baja
2.Descripción
Estos MOSFET de potencia de canal N se desarrollan utilizando la
revolucionaria tecnología MDmesh de STMicroelectronics, que asocia
el proceso de drenaje múltiple con el diseño horizontal PowerMESH
de la empresa.Estos dispositivos ofrecen una resistencia de
encendido extremadamente baja, un alto dv/dt y excelentes
características de avalancha.Utilizando la técnica de tira
patentada de ST, estos MOSFET de potencia cuentan con un
rendimiento dinámico general que es superior a productos similares
en el mercado.
3.Aplicaciones
Cambio de aplicaciones