canal de los circuitos integrados 1P de la gestión del poder de 2.5W FDS6679AZ
Number modelo:FDS6679AZ
Lugar del origen:China
Cantidad de orden mínima:10pcs
Condiciones de pago:T / T, Western Union
Capacidad de la fuente:10000pcs/week
Plazo de expedición:2-3days
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Shenzhen Guangdong China
Dirección:
3418, Duhuixuan, avenida de Shennan, distrito de Futian, Shenzhen, provincia de Guangdong, China
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Detalles del producto
Dispositivo del MOSFET de PowerTrench del P-canal del MOSFET -30V de FDS6679AZ este está bien adaptado para la gestión del poder y los usos que cambian de la carga comunes en las baterías portátiles de Computersand del cuaderno
descripción 1.General
Este MOSFET del P-canal producted usando el proceso avanzado de
PowerTrench de ONSemiconductor que se ha adaptado especialmente
para minimizar la resistencia del en-estado.
Este dispositivo está bien adaptado para la gestión del poder y los
usos que cambian de la carga comunes en las baterías portátiles de
Computersand del cuaderno
2.Features
RDS máximo (encendido) = 9.3mΩ en VGS = -10V, identificación = -13A
RDS máximo (encendido) = 14.8mΩ en VGS = -4.5V, identificación =
-11A
Gama extendida de VGS (- 25V) para los usos de la batería
Nivel de la protección de HBM ESD de 6kV típico (nota 3)
Tecnología del foso del alto rendimiento para extremadamente el
lowrDS (encendido)
Poder más elevado y capacidad que da actual
RoHS obediente
canal de los circuitos integrados 1P de la gestión del poder de 2.5W FDS6679AZ
Carro de la investigación
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