Triodo 200mW del MOSFET del canal N del silicio de BF999 E6327 RF
Number modelo:BF999 E6327
Lugar del origen:China
Cantidad de orden mínima:10pcs
Condiciones de pago:T/T, Western Union
Capacidad de la fuente:12000PCS/WEEK
Plazo de expedición:2-3days
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3418, Duhuixuan, avenida de Shennan, distrito de Futian, Shenzhen, provincia de Guangdong, China
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Triodo del MOSFET del canal N del silicio de los transistores del MOSFET del FB 999 E6327 RF
triodo del MOSFET del canal N 1.Silicon
Para las etapas de alta frecuencia hasta 300 megaciclos
preferiblemente en los usos de FM
• (RoHS obediente) package1 Pb-libres)
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Triodo 200mW del MOSFET del canal N del silicio de BF999 E6327 RF
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