Memoria de acceso aleatorio dinámica síncrona de H9HCNNNBPUMLHR NMO
Número de modelo:H9HCNNNBPUMLHR- NMO
Lugar del origen:Corea
Cantidad de orden mínima:10pcs
Condiciones de pago:T/T, Western Union
Capacidad de la fuente:16080PCS/WEEK
Detalles de empaquetado:1608PCS/Tray
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Shenzhen Guangdong China
Dirección:
3418, Duhuixuan, avenida de Shennan, distrito de Futian, Shenzhen, provincia de Guangdong, China
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Detalles del producto
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Detalles del producto
Las generaciones de H9HCNNNBPUMLHR NMO cuatro de energía baja doblan memoria de acceso aleatorio dinámica síncrona de la tarifa de datos
Uso del producto
LPDDR es discutible la memoria más ampliamente utilizada de
“memoria de trabajo” para los dispositivos móviles por todo el
mundo. La tarifa de datos doble de la energía baja SDRAM, un tipo
de RDA SDRAM, también conocido como mDDR (RDA móvil SDRM), es un
estándar de la comunicación desarrollado por la asociación de
estado sólido de la tecnología de los E.E.U.U. JEDEC (asociación de
estado sólido de la tecnología de JEDEC) para el bajo consumo de
energía sabido para el consumo de energía y tamaño pequeño, se
utiliza específicamente para los productos electrónicos móviles.
Nuestros productos incluyen la COPITA de SAMSUNG (Samsung
Electronics), el NAND, NI la memoria Flash, el eMMC integrado del
almacenamiento, el eMCP y la otra gama completa del producto del
almacenamiento
Funcionamiento LPDDR4
Puesto que la velocidad de la transmisión de datos del interfaz de
la entrada-salida puede alcanzar hasta 3200Mbps, que es dos veces
el de la COPITA de uso general DDR3, la memoria nuevamente
introducida de 8Gb LPDDR4 puede apoyar el tiroteo y el aparato de
lectura de las imágenes de la ultra-alto-definición, y puede
continuar capturando 20 millones de fotos de alta definición del
pixel. Comparado con el chip de memoria LPDDR3, la caída de voltaje
de funcionamiento de LPDDR4 es 1,1 voltios, que es la solución del
almacenamiento del poder más bajo conveniente para los smartphones
y las tabletas en pantalla grande, y sistemas de red de alto
rendimiento. Tomando un paquete de la memoria 2GB como un ejemplo,
comparado a un paquete de la memoria 2GB basado en un
microprocesador de 4Gb LPDDR3, un paquete de la memoria 2GB basado
en un microprocesador de 8Gb LPDDR4 puede ahorrar el hasta 40% de
consumo de energía debido a una reducción en voltaje de
funcionamiento y a un aumento en velocidad de proceso. Al mismo
tiempo, la transmisión de la señal de la entrada-salida de la
lógica única de la terminación del oscilación de la baja tensión de
nuevos productos de Samsung de las aplicaciones (LVSTL, lógica
terminada oscilación de la baja tensión), que no sólo fomentan
reduce el consumo de energía del microprocesador LPDDR4, pero
también permite al microprocesador actuar en la baja tensión que la
operación de alta frecuencia realiza la optimización de la eficacia
de la fuente de alimentación.
Q1. ¿Cuál es sus términos del embalaje?
A: Generalmente, embalamos nuestras mercancías en cajas blancas neutrales y cartones marrones.
Si usted ha registrado legalmente patente, podemos embalar las mercancías en sus cajas calificadas después de conseguir sus letras de la autorización.
Q2. ¿Cuál es su MOQ?
A: ¡Le proporcionamos pequeño MOQ para cada artículo, él dependemos su orden concreto!
Q3. ¿Usted prueba o comprueba todas sus mercancías antes de entrega?
A: Sí, tenemos prueba del 100% y comprobamos todas las mercancías antes de entrega.
Q4: ¿Cómo usted hace nuestro largo plazo del negocio y buena relación?
Guardamos buena calidad y el precio competitivo para asegurar a nuestros clientes se beneficia;
Respetamos a cada cliente como nuestro amigo y nosotros hacemos sinceramente negocio y hacemos a amigos con ellos, él no somos algo que puede ser substituido.
Q5: ¿Cómo entrarnos en contacto con?
A: ¡Envíe sus detalles en el abajo, tecleo de la investigación
“ahora envían "!!!
Tecnología Co., Ltd de Shenzhen Hongxinwei
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Memoria de acceso aleatorio dinámica síncrona de H9HCNNNBPUMLHR NMO
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