1500 - amplificador de potencia de 1700MHz 5W GaAs MMIC, amplificador linear YP163137 de la frecuencia ultraelevada
Number modelo:YP163137
Lugar del origen:China
Cantidad de orden mínima:1
Condiciones de pago:L/C, T/T, Paypal, etc.
Gama de frecuencia:1500-1700MHz
Gane (tipo):31dB
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Shenzhen Guangdong China
Dirección:
201, Edificio A, No.1 de la calle Xinghua, comunidad Pingxi, calle Pingdi, distrito de Longgang, Shenzhen
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Detalles del producto
Amplificador de potencia del amplificador 1500-1700MHz 5W GaAs MMIC de TXtelsig YP163137 RF
El YP163137 es un de alta potencia, el amplificador de potencia de gran eficacia piensa para la comunicación por satélite y la navegación del compás. El amplificador de potencia proporciona un aumento típico de DB 31 y P1dB de 37dBm con la entrada del CW, condición diagonal quieta típica es 6.0V en 50mA. El dispositivo se fabrica en un proceso bipolar del transistor de la heterounión avanzada de InGaP/GaAs (HBT). El YP163137 está montado en 16 un perno, 4mm×4m m, paquete de QFN, él internamente se integra con la unidad de la protección del ESD.
Características
■gama de frecuencia 1.5~1.7GHz
■aumento 31dB (tipo)
■≥37dBm P1dB con la entrada de señal del CW
■≥17dB entró la pérdida de vuelta
■operación 3.3~6.0V
■corriente quieta 50mA
■Detector de potencia de salida integrado
■Unidad integrada de la protección del ESD
■Tecnología avanzada de InGaP/GaAs HBT
Usos
■Comunicación por satélite del compás
■Navegación por satélite del compás
¡Precaución! Dispositivo sensible del ESD:
Grado del ESD: Class1C
Valor: Passes≥1000V mínimo.
Prueba: Modelo del cuerpo humano (HBM)
Estándar: JEDEC JESD22-A114 estándar
Grado del ESD: Clase IV
Valor: Pasos ≥1000V mínimos.
Prueba: Modelo cargado del dispositivo (CDM)
Estándar: JEDEC JESD22-C101 estándar
Grado de MSL: Llano 3 en la convección de +260 °C
flujo
Estándar: JEDEC J-STD-020 estándar
| Parámetro | Grado | Unidad |
| Poder entrado del RF | 10 | dBm |
| Voltaje de fuente | -0,5 a +6,0 | V |
| Voltaje de polarización | -0,5 a +3,0 | V |
| Corriente de la fuente de DC | 2200 | mA |
| Temperatura ambiente de funcionamiento | -40 a +85 | °C |
| Temperatura de almacenamiento | -40 a +150 | °C |
| Pin Description | ||
| Pin No. | Símbolo | Descripción |
| 2 | RF ADENTRO | Entrada del RF |
| 4, 7 | VREF1&2, VREF3 | Voltaje actual diagonal del control |
| 5 | VCCB | Voltaje de fuente para el prejuicio |
| 6 | VCTR | Voltaje con./desc. del control del poder |
| 9, 10, 11, 12 | RF FUERA DE (VCC3) | Salida del RF y voltaje de colector de la etapa 3 |
| 13 | VCC2 | Efectúe el voltaje de colector 2 |
| 14 | PDET | El poder detecta |
| 15 | VCCD | Voltaje de fuente para el detector del poder |
| 16 | VCC1 | Efectúe 1 voltaje de colector |
| 1,3,8 | NC/GND | Ninguna conexión o tierra |
1500 - amplificador de potencia de 1700MHz 5W GaAs MMIC, amplificador linear YP163137 de la frecuencia ultraelevada
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