aumento del poder del amplificador de potencia 1400-1800MHz YP163038 30dB de 1.6GHz 6W GaAs MMIC RF
Number modelo:YP163038
Lugar del origen:China
Cantidad de orden mínima:1
Términos de pago:L / C, T / T, Paypal, etc.
Gama de frecuencia:1400-1800MHz
Gane (tipo):30dB
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Shenzhen Guangdong China
Dirección:
201, Edificio A, No.1 de la calle Xinghua, comunidad Pingxi, calle Pingdi, distrito de Longgang, Shenzhen
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Detalles del producto
Amplificador de potencia 1400-1800MHz del amplificador 1.6GHz 6W GaAs MMIC de TXtelsig YP163038 RF
El YP163038 es un de alta potencia, el amplificador de potencia de gran eficacia piensa para la comunicación por satélite y la navegación de BDS. El amplificador de potencia proporciona un aumento típico del poder de DB 30 y el poder de la saturación de 38dBm con la entrada del CW, condición diagonal quieta típica es 5.0V en 12mA. El dispositivo se fabrica en un proceso bipolar del transistor de la heterounión avanzada de InGaP/GaAs (HBT). El YP163038 está montado en 20 un perno, 5mm×5m m, paquete de QFN, él internamente se integra con la unidad de la protección del ESD.
Características
■gama de frecuencia 1.4~1.8GHz
■aumento del poder 30dB (tipo)
■saturación 38dBm de potencia de salida
■10dB entró la pérdida de vuelta
■operación 3.3~5.5V
■corriente quieta 12mA
■Detector de potencia de salida integrado
■Unidad integrada de la protección del ESD
■Tecnología avanzada de InGaP/GaAs HBT
Usos
■Comunicación por satélite y navegación de BDS
■Sistema aéreo sin tripulación del vehículo
Información el ordenar
■Microprocesador del amplificador de potencia de YP163038 1.6GHz
■Comité de Evaluación de YP163038-EVB 1.6GHz YP163038
¡Precaución! Dispositivo sensible del ESD
Grado del ESD: Class1C
Valor: Passes≥1000V mínimo.
Prueba: Modelo del cuerpo humano (HBM)
Estándar: JEDEC JESD22-A114 estándar
Grado del ESD: Clase IV
Valor: Pasos ≥1000V mínimos.
Prueba: Modelo cargado del dispositivo (CDM)
Estándar: JEDEC JESD22-C101 estándar
Grado de MSL: Llano 3 en la convección de +260 °C
flujo
Estándar: JEDEC J-STD-020 estándar
| Parámetro | Grado | Unidad |
| Poder entrado del RF | 10 | dBm |
| Voltaje de fuente | -0,5 a +6,0 | V |
| Voltaje de polarización | -0,5 a +3,0 | V |
| Corriente de la fuente de DC | 3500 | mA |
| Temperatura ambiente de funcionamiento | -40 a +85 | °C |
| Temperatura de almacenamiento | -40 a +150 | °C |
| Pin Description | ||
| Pin No. | Símbolo | Descripción |
| 3 | RF ADENTRO | Entrada del RF |
| 7, 9 | VR1&2, VR3 | Voltaje actual diagonal del control |
| 18 | VCCB | Voltaje de fuente para el prejuicio |
| 8 | VCTR | Voltaje del control llano de poder |
| 11, 12, 13, 14, 15 | RF FUERA DE (VCC3) | Salida del RF y voltaje de colector de la etapa 3 |
| 16 | VCC2 | Efectúe el voltaje de colector 2 |
| 17 | PDET | El poder detecta |
| 18 | VCCB | Voltaje de fuente para el prejuicio |
| 19 | VCCD | Voltaje de fuente para el detector del poder |
| 20 | VCC1 | Efectúe 1 voltaje de colector |
| 1, 2, 4, 5, 6, 10 | NC/GND | Ninguna conexión o tierra |
aumento del poder del amplificador de potencia 1400-1800MHz YP163038 30dB de 1.6GHz 6W GaAs MMIC RF
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