Material trigonal del substrato de los cristales del interruptor de LN LiNbO3 Q para los dispositivos optoelectrónicos integrados
Brand Name:CRYLINK
Certification:Iso9001
Model Number:CRYLINK-LiNbO3 Crystal
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LiNbO
El cristalde LiNbO3 ha sido ampliamente utilizado en tecnología de la guía de onda óptica y de comunicación óptica debido a sus propiedades electrópticas excelentes. Es un material ideal del substrato para muchos dispositivos optoelectrónicos integrados. Debido al coeficiente electróptico grande de LiNbO3, elvoltajede media-ondaesbajo. Elefectoelectrópticodel cristaldeLiNbO3 se utiliza generalmente para modular la señal óptica. La modulación electróptica se divide en longitudinal y transversal, y LiNbO3 se utiliza principalmente en la modulación transversal. Ha sido ampliamente utilizado en láseres de estado sólido del medio y de la energía baja.
Parámetro
Propiedades físicas y ópticas
| Fórmula química | LiNbO3 |
| Estructura cristalina | trigonal |
| Grupo de espacio | R3 C |
| Densidad | 4,64 g/cm3 |
| Dureza de Mohs | 5 |
| Homogeneidad óptica | ~ 5 x 10-5/cm |
| Gama de la transparencia | 420 5200 nanómetro |
| Coeficiente de absorción | ~ el 0.1%/cm @ 1064 nanómetro |
| Índices refractivos en 1064 nanómetro | noreste = 2,146, no = 2,220 @ 1300 nanómetro |
| noreste = 2,156, no = 2,232 @ 1064 nanómetro | |
| noreste = 2,203, no = 2,286 @ 632,8 nanómetro | |
| Ecuaciones de Sellmeier (, m) | no2 = 4,9048 + 0,11768/(2 0,04750) 0,0271692 |
| noreste 2 = 4,5820 + 0,099169/(2 0,04443) 0,0219502 | |
| °C 25 del coeficiente de la extensión termal @ | //a, 2,0 x 10-6/K |
| //c, 2,2 x 10-6/K | |
| Conductividad termal | ~ 5 °C de W/m/K @ 25 |
| Coeficiente óptico termal | dno/d T = -0,874 x 10-6/K en 1,4 m |
| dne/d T = 39,073 x 10-6/K en 1,4 m |
Especificación general LiNbO3 para el Q-interruptor
| Retraso refractivo | =Lnr22V/d |
| Coeficientes electrópticos | R33 =32pm/V |
| R31 =10pm/V | |
| R22 =6.8 pm/V | |
| Abertura | 4x4m m ~ 9x9m m |
| Longitud | 15~25m m |
| Tolerancia del tamaño | +/-0.1mm |
| Chaflán | <0.5mm x 45° |
| Exactitud de la orientación | minuto del arco <5 |
| Paralelismo | sec del arco <10 |
| Llanura | l/8 en 632,8 nanómetro |
| Distorsión del frente de onda | <l/4 en 632,8 nanómetro |
| Ratio de la extinción | >400:1 @ 633nm, haz del diámetro 6m m |
Especificación LiNbO3 para la guía de onda óptica
| Gama de longitud de onda de funcionamiento | el 1.525-1.605m |
| Ratio de la extinción | <20dB |
| Voltaje de media-onda | <6V |
| Voltaje de polarización de DC | <8V |
| Impedancia característica de la entrada | 50 |
| Reflejo de luz | ≤-50dB |
| Energía eléctrica de la entrada máxima | 20dBm |
| Poder óptico de la entrada máxima | 10-100mW |
| Temperatura de almacenamiento | -40-85℃ |
| Temperatura de funcionamiento | -40-70℃ |
Material trigonal del substrato de los cristales del interruptor de LN LiNbO3 Q para los dispositivos optoelectrónicos integrados
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